STMicroelectronics - STD11N50M2

KEY Part #: K6419445

STD11N50M2 Цэнаўтварэнне (USD) [112458шт шт]

  • 1 pcs$0.33054
  • 2,500 pcs$0.32890

Частка нумар:
STD11N50M2
Вытворца:
STMicroelectronics
Падрабязнае апісанне:
MOSFET N-CH 500V 8A DPAK.
Manufacturer's standard lead time:
У наяўнасці
Тэрмін прыдатнасці:
Адзін год
Фішка ад:
Ганконг
RoHS:
Спосаб аплаты:
Адгрузка спосабам:
Катэгорыі сям'і:
KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Транзістары - спецыяльнага прызначэння, Транзістары - IGBT - Модулі, Тырыстары - DIAC, SIDAC, Транзістары - біпалярныя (BJT) - масівы, загадзя п, Транзістары - IGBT - адзінкавыя, Транзістары - біпалярныя (BJT) - масівы, Тырыстары - SCR and Дыёды - РФ ...
Канкурэнтная перавага:
Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах STMicroelectronics STD11N50M2. STD11N50M2 можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

STD11N50M2 Атрыбуты прадукту

Частка нумар : STD11N50M2
Вытворца : STMicroelectronics
Апісанне : MOSFET N-CH 500V 8A DPAK
Серыя : MDmesh™ II Plus
Статус часткі : Active
Тып FET : N-Channel
Тэхналогіі : MOSFET (Metal Oxide)
Зліў да крыніцы напругі (Vdss) : 500V
Ток - бесперапынны зліў (Id) пры 25 ° C : 8A (Tc)
Напруга прывада (уключаны макс. Rds, уключаецца мінімальная Rds) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 530 mOhm @ 4A, 10V
Vgs (й) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
Зарад брамы (Qg) (макс.) @ Vgs : 12nC @ 10V
Vgs (макс.) : ±25V
Ёмістасць уводу (Ciss) (макс.) @ Vds : 395pF @ 100V
Функцыя FET : -
Рассейванне магутнасці (макс.) : 85W (Tc)
Працоўная тэмпература : -55°C ~ 150°C (TJ)
Тып мантажу : Surface Mount
Пакет прылад пастаўшчыка : DPAK
Пакет / футляр : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў