Vishay Semiconductor Diodes Division - UH3BHE3_A/I

KEY Part #: K6457096

UH3BHE3_A/I Цэнаўтварэнне (USD) [347921шт шт]

  • 1 pcs$0.10631
  • 3,500 pcs$0.09634

Частка нумар:
UH3BHE3_A/I
Вытворца:
Vishay Semiconductor Diodes Division
Падрабязнае апісанне:
DIODE GEN PURP 100V 3A DO214AB. Rectifiers 3A, 100V, 25NS, PLANNAR FER RECT SMD
Manufacturer's standard lead time:
У наяўнасці
Тэрмін прыдатнасці:
Адзін год
Фішка ад:
Ганконг
RoHS:
Спосаб аплаты:
Адгрузка спосабам:
Катэгорыі сям'і:
KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Дыёды - Мастовыя выпрамнікі, Транзістары - БНТ, МОФФЕТ - РФ, Модулі драйвераў харчавання, Дыёды - РФ, Тырыстары - SCR - Модулі, Транзістары - FET, MOSFET - адзінкавыя, Транзістары - біпалярныя (BJT) - масівы, загадзя п and Дыёды - Зэнер - Масівы ...
Канкурэнтная перавага:
Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах Vishay Semiconductor Diodes Division UH3BHE3_A/I. UH3BHE3_A/I можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

UH3BHE3_A/I Атрыбуты прадукту

Частка нумар : UH3BHE3_A/I
Вытворца : Vishay Semiconductor Diodes Division
Апісанне : DIODE GEN PURP 100V 3A DO214AB
Серыя : -
Статус часткі : Active
Дыёдны тып : Standard
Напружанне - рэверс пастаяннага току (Vr) (макс.) : 100V
Ток - Сярэдняя выпраўленасць (Io) : 3A
Напруга - наперад (Vf) (макс.) @ Калі : 1.05V @ 3A
Хуткасць : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Рэверсны час аднаўлення (TRR) : 40ns
Ток - Зваротная ўцечка @ Vr : 5µA @ 100V
Ёмістасць @ Vr, F : -
Тып мантажу : Surface Mount
Пакет / футляр : DO-214AB, SMC
Пакет прылад пастаўшчыка : DO-214AB (SMC)
Працоўная тэмпература - развязка : -55°C ~ 175°C

Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў
  • BAS16

    ON Semiconductor

    DIODE GEN PURP 85V 200MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching SOT23 215mA 75V 4ns

  • VS-8EVL06-M3/I

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURPOSE 600V SLIMDPAK.

  • VS-8EVX06-M3/I

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURPOSE 600V SLIMDPAK.

  • VS-8EVH06-M3/I

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURPOSE 600V SLIMDPAK. Rectifiers 600V 8A SlimDPAK FRED

  • VS-6EVL06-M3/I

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURPOSE 600V SLIMDPAK. Rectifiers 600V 6A SlimDPAK FRED

  • VS-6EVH06-M3/I

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURPOSE 600V SLIMDPAK. Rectifiers 600V 6A SlimDPAK FRED