Калі ваша месцазнаходжанне няма ў спісе, выберыце адно з наступных:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski

Калі ваша месцазнаходжанне няма ў спісе, выберыце адно з наступных:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski
  1. Дадому
  2. Прадукты
  3. Дыскрэтныя паўправадніковыя вырабы
  4. Дыёды - выпрамнікі - адзіночныя
  5. R9G01812XX

Powerex Inc. - R9G01812XX

KEY Part #: K6429499

R9G01812XX Цэнаўтварэнне (USD) [477шт шт]

  • 1 pcs$97.33320
  • 30 pcs$94.88648
Частка нумар:
R9G01812XX
Вытворца:
Powerex Inc.
Падрабязнае апісанне:
DIODE GP 1.8KV 1200A DO200AB.
Manufacturer's standard lead time:
У наяўнасці
Тэрмін прыдатнасці:
Адзін год
Фішка ад:
Ганконг
RoHS:
Спосаб аплаты:
Адгрузка спосабам:
Катэгорыі сям'і:
KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Транзістары - БНТ, MOSFET - Масівы, Транзістары - біпалярныя (BJT) - адзінкавыя, Дыёды - выпрамнікі - адзіночныя, Тырыстары - SCR, Транзістары - IGBT - адзінкавыя, Дыёды - Зэнер - Адзінокі, Транзістары - біпалярныя (BJT) - аднамесныя, з пап and Дыёды - РФ ...
Канкурэнтная перавага:
Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах Powerex Inc. R9G01812XX. R9G01812XX можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

R9G01812XX Атрыбуты прадукту

Частка нумар : R9G01812XX
Вытворца : Powerex Inc.
Апісанне : DIODE GP 1.8KV 1200A DO200AB
Серыя : -
Статус часткі : Active
Дыёдны тып : Standard
Напружанне - рэверс пастаяннага току (Vr) (макс.) : 1800V
Ток - Сярэдняя выпраўленасць (Io) : 1200A
Напруга - наперад (Vf) (макс.) @ Калі : 1.45V @ 1500A
Хуткасць : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Рэверсны час аднаўлення (TRR) : 25µs
Ток - Зваротная ўцечка @ Vr : 150mA @ 1800V
Ёмістасць @ Vr, F : -
Тып мантажу : Chassis Mount
Пакет / футляр : DO-200AB, B-PUK
Пакет прылад пастаўшчыка : DO-200AB, B-PUK
Працоўная тэмпература - развязка : -
Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў
  • SS1FN6-M3/I

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 60V 1A DO219AB. Schottky Diodes & Rectifiers 1A,60V,SMFSkty Rect

  • SS1FN6HM3/H

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 60V 1A DO219AB. Schottky Diodes & Rectifiers 1A,60V,SMFSkty Rect AEC-Q101 Qualified

  • SB2H100-E3/54

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 100V 2A DO204AC. Schottky Diodes & Rectifiers 100 Volt 2.0 Amp 75 Amp IFSM

  • AU2PD-M3/87A

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE AVALANCHE 200V 1.6A TO277A. Rectifiers 2A,200V,FER, Avalanche SM

  • AR4PK-M3/87A

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE AVALANCHE 800V 1.8A TO277A. Rectifiers 4A,800V,Fast RecoveryAvalanche SM

  • VS-6ESH01-M3/86A

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 100V 6A TO277A. Rectifiers Hypfst Rct 6A 100V

Гарачыя часткі