Vishay Siliconix - SI7956DP-T1-GE3

KEY Part #: K6524941

SI7956DP-T1-GE3 Цэнаўтварэнне (USD) [52486шт шт]

  • 1 pcs$0.74498
  • 3,000 pcs$0.69732

Частка нумар:
SI7956DP-T1-GE3
Вытворца:
Vishay Siliconix
Падрабязнае апісанне:
MOSFET 2N-CH 150V 2.6A PPAK SO-8.
Manufacturer's standard lead time:
У наяўнасці
Тэрмін прыдатнасці:
Адзін год
Фішка ад:
Ганконг
RoHS:
Спосаб аплаты:
Адгрузка спосабам:
Катэгорыі сям'і:
KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Дыёды - выпрамнікі - масівы, Дыёды - Зэнер - Адзінокі, Дыёды - пераменная ёмістасць (Varicaps, Varactors), Транзістары - JFET, Транзістары - біпалярныя (BJT) - адзінкавыя, Дыёды - выпрамнікі - адзіночныя, Транзістары - IGBT - адзінкавыя and Транзістары - FET, MOSFET - адзінкавыя ...
Канкурэнтная перавага:
Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах Vishay Siliconix SI7956DP-T1-GE3. SI7956DP-T1-GE3 можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SI7956DP-T1-GE3 Атрыбуты прадукту

Частка нумар : SI7956DP-T1-GE3
Вытворца : Vishay Siliconix
Апісанне : MOSFET 2N-CH 150V 2.6A PPAK SO-8
Серыя : TrenchFET®
Статус часткі : Active
Тып FET : 2 N-Channel (Dual)
Функцыя FET : Logic Level Gate
Зліў да крыніцы напругі (Vdss) : 150V
Ток - бесперапынны зліў (Id) пры 25 ° C : 2.6A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 105 mOhm @ 4.1A, 10V
Vgs (й) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
Зарад брамы (Qg) (макс.) @ Vgs : 26nC @ 10V
Ёмістасць уводу (Ciss) (макс.) @ Vds : -
Магутнасць - Макс : 1.4W
Працоўная тэмпература : -55°C ~ 150°C (TJ)
Тып мантажу : Surface Mount
Пакет / футляр : PowerPAK® SO-8 Dual
Пакет прылад пастаўшчыка : PowerPAK® SO-8 Dual

Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў
  • FDG6322C

    ON Semiconductor

    MOSFET N/P-CH 25V SC70-6.

  • SI1900DL-T1-E3

    Vishay Siliconix

    MOSFET 2N-CH 30V 0.59A SC70-6.

  • FDG1024NZ

    ON Semiconductor

    MOSFET 2N-CH 20V 1.2A SC70-6.

  • FDY4000CZ

    ON Semiconductor

    MOSFET N/P-CH 20V SC89-6.

  • ZXMN3AM832TA

    Diodes Incorporated

    MOSFET 2N-CH 30V 2.9A 8MLP.

  • SI6926ADQ-T1-GE3

    Vishay Siliconix

    MOSFET 2N-CH 20V 4.1A 8-TSSOP.