Rohm Semiconductor - QS8M51TR

KEY Part #: K6523105

QS8M51TR Цэнаўтварэнне (USD) [185557шт шт]

  • 1 pcs$0.22036
  • 3,000 pcs$0.21927

Частка нумар:
QS8M51TR
Вытворца:
Rohm Semiconductor
Падрабязнае апісанне:
MOSFET N/P-CH 100V 2A/1.5A TSMT8.
Manufacturer's standard lead time:
У наяўнасці
Тэрмін прыдатнасці:
Адзін год
Фішка ад:
Ганконг
RoHS:
Спосаб аплаты:
Адгрузка спосабам:
Катэгорыі сям'і:
KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Тырыстары - DIAC, SIDAC, Дыёды - РФ, Дыёды - Мастовыя выпрамнікі, Дыёды - выпрамнікі - адзіночныя, Дыёды - выпрамнікі - масівы, Транзістары - IGBT - Модулі, Дыёды - Зэнер - Адзінокі and Транзістары - біпалярныя (BJT) - масівы, загадзя п ...
Канкурэнтная перавага:
Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах Rohm Semiconductor QS8M51TR. QS8M51TR можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

QS8M51TR Атрыбуты прадукту

Частка нумар : QS8M51TR
Вытворца : Rohm Semiconductor
Апісанне : MOSFET N/P-CH 100V 2A/1.5A TSMT8
Серыя : -
Статус часткі : Active
Тып FET : N and P-Channel
Функцыя FET : Logic Level Gate
Зліў да крыніцы напругі (Vdss) : 100V
Ток - бесперапынны зліў (Id) пры 25 ° C : 2A, 1.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 325 mOhm @ 2A, 10V
Vgs (й) (Max) @ Id : 2.5V @ 1mA
Зарад брамы (Qg) (макс.) @ Vgs : 4.7nC @ 5V
Ёмістасць уводу (Ciss) (макс.) @ Vds : 290pF @ 25V
Магутнасць - Макс : 1.5W
Працоўная тэмпература : 150°C (TJ)
Тып мантажу : Surface Mount
Пакет / футляр : 8-SMD, Flat Lead
Пакет прылад пастаўшчыка : TSMT8

Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў
  • DMC25D0UVT-7

    Diodes Incorporated

    MOSFET N/P-CH 25V/30V TSOT26.

  • FDY2000PZ

    ON Semiconductor

    MOSFET 2P-CH 20V 0.35A SOT-563F.

  • BSL308CH6327XTSA1

    Infineon Technologies

    MOSFET N/P-CH 30V 2.3A/2A 6TSOP.

  • ZXMN2AM832TA

    Diodes Incorporated

    MOSFET 2N-CH 20V 2.9A 8MLP.

  • IRF7501TRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET 2N-CH 20V 2.4A MICRO8.

  • SI7949DP-T1-GE3

    Vishay Siliconix

    MOSFET 2P-CH 60V 3.2A PPAK SO-8.