TRS8E65C,S1Q Цэнаўтварэнне (USD) [12497шт шт]
- 1 pcs$4.22191
- Частка нумар:
- TRS8E65C,S1Q
- Вытворца:
- Toshiba Semiconductor and Storage
- Падрабязнае апісанне:
- DIODE SCHOTTKY 650V 8A TO220-2L.
- Manufacturer's standard lead time:
- У наяўнасці
- Тэрмін прыдатнасці:
- Адзін год
- Фішка ад:
- Ганконг
- RoHS:
- Спосаб аплаты:
-
- Адгрузка спосабам:
- Катэгорыі сям'і:
- KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Транзістары - IGBT - масівы, Дыёды - РФ, Транзістары - біпалярныя (BJT) - аднамесныя, з пап, Дыёды - выпрамнікі - масівы, Транзістары - IGBT - Модулі, Тырыстары - SCR - Модулі, Тырыстары - DIAC, SIDAC and Дыёды - выпрамнікі - адзіночныя ...
- Канкурэнтная перавага:
- Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах Toshiba Semiconductor and Storage TRS8E65C,S1Q. TRS8E65C,S1Q можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
TRS8E65C,S1Q Атрыбуты прадукту
Частка нумар :
TRS8E65C,S1Q
Вытворца :
Toshiba Semiconductor and Storage
Апісанне :
DIODE SCHOTTKY 650V 8A TO220-2L
Серыя :
-
Статус часткі :
Active
Дыёдны тып :
Silicon Carbide Schottky
Напружанне - рэверс пастаяннага току (Vr) (макс.) :
650V
Ток - Сярэдняя выпраўленасць (Io) :
8A (DC)
Напруга - наперад (Vf) (макс.) @ Калі :
1.7V @ 8A
Хуткасць :
No Recovery Time > 500mA (Io)
Рэверсны час аднаўлення (TRR) :
0ns
Ток - Зваротная ўцечка @ Vr :
90µA @ 650V
Ёмістасць @ Vr, F :
44pF @ 650V, 1MHz
Тып мантажу :
Through Hole
Пакет / футляр :
TO-220-2
Пакет прылад пастаўшчыка :
TO-220-2L
Працоўная тэмпература - развязка :
175°C (Max)
Апошнія навіны
Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў
-
SS2FN6-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE SCHOTTKY 60V 2A DO219AB. Schottky Diodes & Rectifiers 2A,60V,SMFSkty Rect
-
SB2H90-E3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE SCHOTTKY 90V 2A DO204AC. Schottky Diodes & Rectifiers 90 Volt 2.0 Amp 75 Amp IFSM
-
SS3P3LHM3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE SCHOTTKY 30V 3A TO277A. Schottky Diodes & Rectifiers 3A,30V,SM SKY RECT.
-
S4PDHM3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 200V 4A TO277A. Rectifiers 4A, 200V, SMPC STD, SM Rect
-
AS4PJHM3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE AVALANCHE 600V 2.4A TO277A. Rectifiers 4A,600V, SMPC STD, Avalanche SM
-
AR3PKHM3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE AVALANCHE 800V 1.6A TO277A. Rectifiers 3A,800V, SMPC,Fast Recovery, Avalanche
Гарачыя часткі
- MBR1645-10HE3/45
- D251K12BXPSA1
- JTXM19500/469-05
- UF1503S-B
- SB05-05C-M-TB-E
- LS412060
- FR204TA
- JANTX1N6661US
- RGP10K-M3/73
- GP10G-4004E-M3/73
- RU 3AM
- RF 1A
- SD24145
- JANTXV1N5802
- MBRB1050HE3/45
- HER604-TP
- SS1H10HE3/61T
- S5MHE3/57T
- ESH2PD-E3/84A
- SS8PH9HM3/87A
- SS2P3-E3/85A
- SS1H10HE3/5AT
- SS19-E3/5AT
- GP30KHE3/54
- GP20B-E3/54
- EGP20DHE3/73
- STPS1545R
- STTH3002G
- LSM345JE3
- ES2A-TP
- VS-HFA16TB120PBF
- VS-1N5819
- 241NQ045R
- 1N6630
- RL103-AP
- ER303-AP
- RO 2CV1
- RU 3AV1
- S10MC M6G
- ES3A M6G