Vishay Siliconix - SQJQ906E-T1_GE3

KEY Part #: K6522881

SQJQ906E-T1_GE3 Цэнаўтварэнне (USD) [74376шт шт]

  • 1 pcs$0.52571

Частка нумар:
SQJQ906E-T1_GE3
Вытворца:
Vishay Siliconix
Падрабязнае апісанне:
MOSFET 2 N-CH 40V POWERPAK8X8.
Manufacturer's standard lead time:
У наяўнасці
Тэрмін прыдатнасці:
Адзін год
Фішка ад:
Ганконг
RoHS:
Спосаб аплаты:
Адгрузка спосабам:
Катэгорыі сям'і:
KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Тырыстары - TRIAC, Транзістары - БНТ, MOSFET - Масівы, Транзістары - БНТ, МОФФЕТ - РФ, Транзістары - IGBT - Модулі, Дыёды - пераменная ёмістасць (Varicaps, Varactors), Транзістары - FET, MOSFET - адзінкавыя, Транзістары - біпалярныя (BJT) - аднамесныя, з пап and Дыёды - выпрамнікі - адзіночныя ...
Канкурэнтная перавага:
Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах Vishay Siliconix SQJQ906E-T1_GE3. SQJQ906E-T1_GE3 можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SQJQ906E-T1_GE3 Атрыбуты прадукту

Частка нумар : SQJQ906E-T1_GE3
Вытворца : Vishay Siliconix
Апісанне : MOSFET 2 N-CH 40V POWERPAK8X8
Серыя : Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Статус часткі : Active
Тып FET : 2 N-Channel (Dual)
Функцыя FET : Standard
Зліў да крыніцы напругі (Vdss) : 40V
Ток - бесперапынны зліў (Id) пры 25 ° C : 95A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 3.3 mOhm @ 5A, 10V
Vgs (й) (Max) @ Id : 3.5V @ 250µA
Зарад брамы (Qg) (макс.) @ Vgs : 42nC @ 10V
Ёмістасць уводу (Ciss) (макс.) @ Vds : 3600pF @ 20V
Магутнасць - Макс : 50W
Працоўная тэмпература : -55°C ~ 175°C (TJ)
Тып мантажу : Surface Mount
Пакет / футляр : PowerPAK® 8 x 8 Dual
Пакет прылад пастаўшчыка : PowerPAK® 8 x 8 Dual

Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў
  • DMN2040LTS-13

    Diodes Incorporated

    MOSFET 2N-CH 20V 6.7A 8TSSOP.

  • DMN2019UTS-13

    Diodes Incorporated

    MOSFET 2N-CH 20V 5.4A TSSOP-8.

  • DMG8822UTS-13

    Diodes Incorporated

    MOSFET 2N-CH 20V 4.9A 8TSSOP.

  • SH8K3TB1

    Rohm Semiconductor

    MOSFET 2N-CH 30V 7A SOP8.

  • SI4804CDY-T1-GE3

    Vishay Siliconix

    MOSFET 2N-CH 30V 8A 8SOIC.

  • SH8M3TB1

    Rohm Semiconductor

    MOSFET N/P-CH 30V 5A/4.5A SOP8.