Частка нумар :
SIHP4N80E-GE3
Вытворца :
Vishay Siliconix
Апісанне :
MOSFET N-CHAN 800V TO-220AB
Тэхналогіі :
MOSFET (Metal Oxide)
Зліў да крыніцы напругі (Vdss) :
800V
Ток - бесперапынны зліў (Id) пры 25 ° C :
4.3A (Tc)
Напруга прывада (уключаны макс. Rds, уключаецца мінімальная Rds) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
1.27 Ohm @ 2A, 10V
Vgs (й) (Max) @ Id :
4V @ 250µA
Зарад брамы (Qg) (макс.) @ Vgs :
32nC @ 10V
Ёмістасць уводу (Ciss) (макс.) @ Vds :
622pF @ 100V
Рассейванне магутнасці (макс.) :
69W (Tc)
Працоўная тэмпература :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тып мантажу :
Through Hole
Пакет прылад пастаўшчыка :
TO-220AB
Пакет / футляр :
TO-220-3