ON Semiconductor - RGP10M

KEY Part #: K6426816

RGP10M Цэнаўтварэнне (USD) [1850076шт шт]

  • 1 pcs$0.02532
  • 5,000 pcs$0.02519
  • 10,000 pcs$0.02239
  • 25,000 pcs$0.02099
  • 50,000 pcs$0.01866

Частка нумар:
RGP10M
Вытворца:
ON Semiconductor
Падрабязнае апісанне:
DIODE GEN PURP 1KV 1A DO204AL. Rectifiers 1000V 1a Rectifier Glass Passivated
Manufacturer's standard lead time:
У наяўнасці
Тэрмін прыдатнасці:
Адзін год
Фішка ад:
Ганконг
RoHS:
Спосаб аплаты:
Адгрузка спосабам:
Катэгорыі сям'і:
KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Транзістары - спецыяльнага прызначэння, Дыёды - пераменная ёмістасць (Varicaps, Varactors), Тырыстары - DIAC, SIDAC, Модулі драйвераў харчавання, Транзістары - JFET, Транзістары - IGBT - Модулі, Дыёды - РФ and Транзістары - IGBT - адзінкавыя ...
Канкурэнтная перавага:
Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах ON Semiconductor RGP10M. RGP10M можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

RGP10M Атрыбуты прадукту

Частка нумар : RGP10M
Вытворца : ON Semiconductor
Апісанне : DIODE GEN PURP 1KV 1A DO204AL
Серыя : -
Статус часткі : Active
Дыёдны тып : Standard
Напружанне - рэверс пастаяннага току (Vr) (макс.) : 1000V
Ток - Сярэдняя выпраўленасць (Io) : 1A
Напруга - наперад (Vf) (макс.) @ Калі : 1.3V @ 1A
Хуткасць : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Рэверсны час аднаўлення (TRR) : 500ns
Ток - Зваротная ўцечка @ Vr : 5µA @ 1000V
Ёмістасць @ Vr, F : 15pF @ 4V, 1MHz
Тып мантажу : Through Hole
Пакет / футляр : DO-204AL, DO-41, Axial
Пакет прылад пастаўшчыка : DO-41
Працоўная тэмпература - развязка : -65°C ~ 175°C

Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў
  • NRVTSAF260ET3G

    ON Semiconductor

    DIODE SCHOTTKY 60V 2A SMA-FL. Schottky Diodes & Rectifiers 60V 2A TRENCH RECTIFIER I

  • MUR220RLG

    ON Semiconductor

    DIODE GEN PURP 200V 2A AXIAL. Rectifiers 200V 2A UltraFast

  • S2J-13-F

    Diodes Incorporated

    DIODE GEN PURP 600V 1.5A SMB. Rectifiers 600V 2A

  • RS2KA-13-F

    Diodes Incorporated

    DIODE GEN PURP 800V 1.5A SMA. Rectifiers 2.0A 800V

  • RS2BA-13-F

    Diodes Incorporated

    DIODE GEN PURP 100V 1.5A SMA. Rectifiers 2.0A 100V

  • HS1F R3G

    Taiwan Semiconductor Corporation

    DIODE GEN PURP 300V 1A DO214AC. Rectifiers 1A,300V, G.P. HIGH EFFICIENT SMD RECTIFIER