FFSM1265A Цэнаўтварэнне (USD) [33176шт шт]
- 1 pcs$1.24223
- Частка нумар:
- FFSM1265A
- Вытворца:
- ON Semiconductor
- Падрабязнае апісанне:
- 650V 12A SIC SBD. Schottky Diodes & Rectifiers 650V 12A SIC SBD
- Manufacturer's standard lead time:
- У наяўнасці
- Тэрмін прыдатнасці:
- Адзін год
- Фішка ад:
- Ганконг
- RoHS:
- Спосаб аплаты:
-
- Адгрузка спосабам:
- Катэгорыі сям'і:
- KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Дыёды - РФ, Транзістары - JFET, Транзістары - IGBT - Модулі, Дыёды - пераменная ёмістасць (Varicaps, Varactors), Дыёды - выпрамнікі - масівы, Тырыстары - SCR - Модулі, Тырыстары - TRIAC and Транзістары - біпалярныя (BJT) - аднамесныя, з пап ...
- Канкурэнтная перавага:
- Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах ON Semiconductor FFSM1265A. FFSM1265A можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
FFSM1265A Атрыбуты прадукту
Частка нумар :
FFSM1265A
Вытворца :
ON Semiconductor
Апісанне :
650V 12A SIC SBD
Серыя :
-
Статус часткі :
Active
Дыёдны тып :
Silicon Carbide Schottky
Напружанне - рэверс пастаяннага току (Vr) (макс.) :
650V
Ток - Сярэдняя выпраўленасць (Io) :
12.5A (DC)
Напруга - наперад (Vf) (макс.) @ Калі :
1.75V @ 12A
Хуткасць :
No Recovery Time > 500mA (Io)
Рэверсны час аднаўлення (TRR) :
0ns
Ток - Зваротная ўцечка @ Vr :
200µA @ 650V
Ёмістасць @ Vr, F :
665pF @ 1V, 100kHz
Тып мантажу :
Surface Mount
Пакет / футляр :
4-PowerTSFN
Пакет прылад пастаўшчыка :
4-PQFN (8x8)
Працоўная тэмпература - развязка :
-55°C ~ 175°C
Апошнія навіны
Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў
-
VS-HFA04SD60STR-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 600V 4A D-PAK. Diodes - General Purpose, Power, Switching Hexfreds - D-PAK-e3
-
VS-HFA08SD60STR-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 600V 8A D-PAK. Rectifiers Hexfreds - D-PAK-e3
-
VS-8EWS16STRR-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 1.6KV 8A D-PAK. Schottky Diodes & Rectifiers New Input Diodes - D-PAK-e3
-
VS-8EWF04STR-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 400V 8A D-PAK. Schottky Diodes & Rectifiers New Input Diodes - D-PAK-e3
-
VS-8EWS10STR-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 1KV 8A DPAK. Rectifiers Input Diodes - D-PAK
-
VS-8EWF02STRL-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 200V 8A D-PAK. Schottky Diodes & Rectifiers New Input Diodes - D-PAK-e3
Гарачыя часткі
- MBRB10H50HE3/45
- MBRB16H35-E3/81
- GP10KE-M3/73
- 1N4005-N-0-2-BP
- 1N4003 BK
- IRD3CH31DB6
- SS310HE-TP
- CLL914 BK
- JANTX1N6761UR-1
- GP10-4003E-M3/54
- EGP10F-M3/54
- VS-30WQ06FNTRLPBF
- UH1B-E3/61T
- MBRF7H60HE3/45
- RGP15DHE3/54
- RB420D-TP
- VS-90SQ045TR
- DGP20HE3/54
- 1N5622GP-E3/73
- U1GWJ49(TE12L,F)
- STTH3R04
- 2A02-T
- STTH10R04G
- FFPF04U150STU
- VS-20L15TPBF
- MBR2515L
- MBR845RL
- B280-13
- 60CPF10
- 40EPS08
- MA3X72100L
- MA2J11600L
- DL4001
- IDD15E60BUMA1
- 2A01-TP
- IDW30E60AFKSA1
- RGP02-14E-E3/73
- HS5M M6G
- GL41DHE3/97
- SE15PD-M3/85A