Vishay Semiconductor Diodes Division - BYG10J-M3/TR

KEY Part #: K6439626

BYG10J-M3/TR Цэнаўтварэнне (USD) [742232шт шт]

  • 1 pcs$0.05071
  • 12,600 pcs$0.05046

Частка нумар:
BYG10J-M3/TR
Вытворца:
Vishay Semiconductor Diodes Division
Падрабязнае апісанне:
DIODE AVALANCHE 600V 1.5A. Rectifiers 1.5A,600V VGSC-STD Avalanche SMD
Manufacturer's standard lead time:
У наяўнасці
Тэрмін прыдатнасці:
Адзін год
Фішка ад:
Ганконг
RoHS:
Спосаб аплаты:
Адгрузка спосабам:
Катэгорыі сям'і:
KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Транзістары - IGBT - Модулі, Транзістары - IGBT - адзінкавыя, Тырыстары - TRIAC, Транзістары - біпалярныя (BJT) - адзінкавыя, Транзістары - біпалярныя (BJT) - масівы, Дыёды - пераменная ёмістасць (Varicaps, Varactors), Тырыстары - SCR - Модулі and Транзістары - БНТ, MOSFET - Масівы ...
Канкурэнтная перавага:
Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах Vishay Semiconductor Diodes Division BYG10J-M3/TR. BYG10J-M3/TR можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

BYG10J-M3/TR Атрыбуты прадукту

Частка нумар : BYG10J-M3/TR
Вытворца : Vishay Semiconductor Diodes Division
Апісанне : DIODE AVALANCHE 600V 1.5A
Серыя : Automotive, AEC-Q101
Статус часткі : Active
Дыёдны тып : Avalanche
Напружанне - рэверс пастаяннага току (Vr) (макс.) : 600V
Ток - Сярэдняя выпраўленасць (Io) : 1.5A
Напруга - наперад (Vf) (макс.) @ Калі : 1.15V @ 1.5A
Хуткасць : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Рэверсны час аднаўлення (TRR) : 4µs
Ток - Зваротная ўцечка @ Vr : 1µA @ 600V
Ёмістасць @ Vr, F : -
Тып мантажу : Surface Mount
Пакет / футляр : DO-214AC, SMA
Пакет прылад пастаўшчыка : DO-214AC (SMA)
Працоўная тэмпература - развязка : -55°C ~ 150°C

Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў
  • VS-6EWL06FN-M3

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 600V 6A TO252AA. Rectifiers 6A 600V 59ns Ultrafast

  • SD103A-TAP

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 40V SGL DO35. Schottky Diodes & Rectifiers 5uA 40 Volt 15A IFSM

  • BAV19-TAP

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 100V 250MA DO35. Diodes - General Purpose, Power, Switching 120 Volt 625mA

  • BAV17-TR

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 20V 250MA DO35. Diodes - General Purpose, Power, Switching 25 Volt 625mA

  • 1N4454-TAP

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 75V 150MA DO204AH. Rectifiers Vr/100V Io/10mA

  • 1N4454-TR

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 75V 150MA DO204AH. Diodes - General Purpose, Power, Switching Vr/100V Io/10mA