SE10FG-M3/I Цэнаўтварэнне (USD) [1397927шт шт]
- 1 pcs$0.02792
- 30,000 pcs$0.02778
- Частка нумар:
- SE10FG-M3/I
- Вытворца:
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- Падрабязнае апісанне:
- DIODE GEN PURP 400V 1A DO219AB. Rectifiers 1A 400V ESD Prot SMF Rectifier
- Manufacturer's standard lead time:
- У наяўнасці
- Тэрмін прыдатнасці:
- Адзін год
- Фішка ад:
- Ганконг
- RoHS:
- Спосаб аплаты:
-
- Адгрузка спосабам:
- Катэгорыі сям'і:
- KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Транзістары - IGBT - Модулі, Дыёды - Мастовыя выпрамнікі, Транзістары - БНТ, MOSFET - Масівы, Транзістары - FET, MOSFET - адзінкавыя, Дыёды - пераменная ёмістасць (Varicaps, Varactors), Транзістары - БНТ, МОФФЕТ - РФ, Тырыстары - SCR - Модулі and Транзістары - біпалярныя (BJT) - адзінкавыя ...
- Канкурэнтная перавага:
- Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах Vishay Semiconductor Diodes Division SE10FG-M3/I. SE10FG-M3/I можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
SE10FG-M3/I Атрыбуты прадукту
Частка нумар :
SE10FG-M3/I
Вытворца :
Vishay Semiconductor Diodes Division
Апісанне :
DIODE GEN PURP 400V 1A DO219AB
Серыя :
-
Статус часткі :
Active
Дыёдны тып :
Standard
Напружанне - рэверс пастаяннага току (Vr) (макс.) :
400V
Ток - Сярэдняя выпраўленасць (Io) :
1A
Напруга - наперад (Vf) (макс.) @ Калі :
1.05V @ 1A
Хуткасць :
Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Рэверсны час аднаўлення (TRR) :
780ns
Ток - Зваротная ўцечка @ Vr :
5µA @ 400V
Ёмістасць @ Vr, F :
7.5pF @ 4V, 1MHz
Тып мантажу :
Surface Mount
Пакет / футляр :
DO-219AB
Пакет прылад пастаўшчыка :
DO-219AB (SMF)
Працоўная тэмпература - развязка :
-55°C ~ 175°C
Апошнія навіны
Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў
-
SD103CW-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE SCHOTTKY 350MA 20V SOD123. Schottky Diodes & Rectifiers 5uA 20Volt 15A IFSM AUTO
-
1N4148W-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 75V 150MA SOD123. Diodes - General Purpose, Power, Switching 100 Volt 150mA 4ns 500mA IFSM
-
BAS16D-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 75V 250MA SOD123. Diodes - General Purpose, Power, Switching 100 Volt 250mA 6ns 500mA IFSM
-
SD101AW-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE SCHOTTKY 400MW 60V SOD123. Schottky Diodes & Rectifiers 30mA 60Volt 2A IFSM
-
BAV21W-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 200V 250MA SOD123. Diodes - General Purpose, Power, Switching 250 Volt 200mA 50ns 1A IFSM
-
SD101AW-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE SCHOTTKY 400MW 60V SOD123. Schottky Diodes & Rectifiers 30mA 60Volt 2A IFSM
Гарачыя часткі
- IDD12SG60CXTMA2
- S1MFL RVG
- RGP10J-5025M3/73
- JAN1N1190
- R4260F
- R9G22011ASOO
- MURS120HE3/52T
- IDW12G65C5FKSA1
- SB040-E3/54
- NSRM30CM3T5G
- AR3PJHM3/86A
- VS-60CPF02PBF
- VS-150SQ035
- RGP02-14E-M3/73
- RS1GHE3/5AT
- RGP5020HE3/54
- SB160A-E3/73
- GP15KHE3/73
- 1N4937L-T
- MR7510-BP
- JAN1N6629US
- STTH40P03SFP
- BAS29_D87Z
- D4015L
- VS-12TQ040PBF
- SS16T3
- MBRB745
- RS3G-13
- 20ETS12S
- 1PS59SB20,115
- MBRM120ET1H
- ER1D-TP
- 1N4935-TP
- MUR110-AP
- STPS2H100UF
- RU 2V1
- SK56C M6G
- ESH2CHE3_A/I
- BA159GPE-E3/73
- LL4448-GS08