Vishay Semiconductor Diodes Division - DTV32B-E3/81

KEY Part #: K6447659

[1349шт шт]


    Частка нумар:
    DTV32B-E3/81
    Вытворца:
    Vishay Semiconductor Diodes Division
    Падрабязнае апісанне:
    DIODE GEN PURP 1.5KV 10A TO263AB.
    Manufacturer's standard lead time:
    У наяўнасці
    Тэрмін прыдатнасці:
    Адзін год
    Фішка ад:
    Ганконг
    RoHS:
    Спосаб аплаты:
    Адгрузка спосабам:
    Катэгорыі сям'і:
    KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Транзістары - JFET, Транзістары - біпалярныя (BJT) - адзінкавыя, Транзістары - БНТ, MOSFET - Масівы, Транзістары - спецыяльнага прызначэння, Модулі драйвераў харчавання, Тырыстары - SCR, Транзістары - БНТ, МОФФЕТ - РФ and Транзістары - IGBT - масівы ...
    Канкурэнтная перавага:
    Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах Vishay Semiconductor Diodes Division DTV32B-E3/81. DTV32B-E3/81 можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    DTV32B-E3/81 Атрыбуты прадукту

    Частка нумар : DTV32B-E3/81
    Вытворца : Vishay Semiconductor Diodes Division
    Апісанне : DIODE GEN PURP 1.5KV 10A TO263AB
    Серыя : -
    Статус часткі : Obsolete
    Дыёдны тып : Standard
    Напружанне - рэверс пастаяннага току (Vr) (макс.) : 1500V
    Ток - Сярэдняя выпраўленасць (Io) : 10A
    Напруга - наперад (Vf) (макс.) @ Калі : 1.5V @ 6A
    Хуткасць : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
    Рэверсны час аднаўлення (TRR) : 175ns
    Ток - Зваротная ўцечка @ Vr : 100µA @ 1500V
    Ёмістасць @ Vr, F : -
    Тып мантажу : Surface Mount
    Пакет / футляр : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
    Пакет прылад пастаўшчыка : TO-263AB
    Працоўная тэмпература - развязка : -55°C ~ 150°C

    Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў
    • RURD660S9A-F085

      ON Semiconductor

      DIODE GEN PURP 600V 6A DPAK. Rectifiers Ultrafast Power Rectifier, 6A 600V

    • RURD660S9A-F085P

      ON Semiconductor

      UFR DPAK PN 6A 200V. Rectifiers 6A, 600V Ultrafast Diodes

    • FFSD08120A

      ON Semiconductor

      1200V 8A SIC SBD. Schottky Diodes & Rectifiers 1200V 8A SIC SBD

    • RURD460S9A

      ON Semiconductor

      DIODE GEN PURP 600V 4A TO252. Diodes - General Purpose, Power, Switching Ultra Fast Diode 4a 600V

    • 1PS193,115

      NXP USA Inc.

      DIODE GEN PURP 80V 215MA SMT3.

    • 1PS193,135

      NXP USA Inc.

      DIODE GEN PURP 80V 215MA SMT3.