Vishay Semiconductor Diodes Division - GP10M-4007HE3/54

KEY Part #: K6434581

GP10M-4007HE3/54 Цэнаўтварэнне (USD) [905863шт шт]

  • 1 pcs$0.04083
  • 11,000 pcs$0.03734

Частка нумар:
GP10M-4007HE3/54
Вытворца:
Vishay Semiconductor Diodes Division
Падрабязнае апісанне:
DIODE GEN PURP 1KV 1A DO204AL.
Manufacturer's standard lead time:
У наяўнасці
Тэрмін прыдатнасці:
Адзін год
Фішка ад:
Ганконг
RoHS:
Спосаб аплаты:
Адгрузка спосабам:
Катэгорыі сям'і:
KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Транзістары - спецыяльнага прызначэння, Транзістары - праграмуемыя супярэчнікі, Транзістары - JFET, Дыёды - Мастовыя выпрамнікі, Транзістары - IGBT - масівы, Транзістары - біпалярныя (BJT) - адзінкавыя, Дыёды - пераменная ёмістасць (Varicaps, Varactors) and Модулі драйвераў харчавання ...
Канкурэнтная перавага:
Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах Vishay Semiconductor Diodes Division GP10M-4007HE3/54. GP10M-4007HE3/54 можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

GP10M-4007HE3/54 Атрыбуты прадукту

Частка нумар : GP10M-4007HE3/54
Вытворца : Vishay Semiconductor Diodes Division
Апісанне : DIODE GEN PURP 1KV 1A DO204AL
Серыя : -
Статус часткі : Active
Дыёдны тып : Standard
Напружанне - рэверс пастаяннага току (Vr) (макс.) : 1000V
Ток - Сярэдняя выпраўленасць (Io) : 1A
Напруга - наперад (Vf) (макс.) @ Калі : -
Хуткасць : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Рэверсны час аднаўлення (TRR) : -
Ток - Зваротная ўцечка @ Vr : -
Ёмістасць @ Vr, F : -
Тып мантажу : Through Hole
Пакет / футляр : DO-204AL, DO-41, Axial
Пакет прылад пастаўшчыка : DO-204AL (DO-41)
Працоўная тэмпература - развязка : -

Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў
  • VS-HFA04SD60STR-M3

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 600V 4A D-PAK. Diodes - General Purpose, Power, Switching Hexfreds - D-PAK-e3

  • VS-HFA08SD60STR-M3

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 600V 8A D-PAK. Rectifiers Hexfreds - D-PAK-e3

  • VS-8EWS16STRR-M3

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 1.6KV 8A D-PAK. Schottky Diodes & Rectifiers New Input Diodes - D-PAK-e3

  • VS-8EWF04STR-M3

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 400V 8A D-PAK. Schottky Diodes & Rectifiers New Input Diodes - D-PAK-e3

  • VS-8EWS10STR-M3

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 1KV 8A DPAK. Rectifiers Input Diodes - D-PAK

  • VS-8EWF02STRL-M3

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 200V 8A D-PAK. Schottky Diodes & Rectifiers New Input Diodes - D-PAK-e3