ON Semiconductor - 1N916

KEY Part #: K6441478

1N916 Цэнаўтварэнне (USD) [935213шт шт]

  • 1 pcs$0.03955
  • 10 pcs$0.03283
  • 100 pcs$0.01780
  • 500 pcs$0.01096
  • 1,000 pcs$0.00747

Частка нумар:
1N916
Вытворца:
ON Semiconductor
Падрабязнае апісанне:
DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35. Diodes - General Purpose, Power, Switching 100V Io/200mA BULK
Manufacturer's standard lead time:
У наяўнасці
Тэрмін прыдатнасці:
Адзін год
Фішка ад:
Ганконг
RoHS:
Спосаб аплаты:
Адгрузка спосабам:
Катэгорыі сям'і:
KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Транзістары - біпалярныя (BJT) - РФ, Дыёды - пераменная ёмістасць (Varicaps, Varactors), Тырыстары - TRIAC, Транзістары - IGBT - адзінкавыя, Дыёды - Зэнер - Масівы, Модулі драйвераў харчавання, Транзістары - праграмуемыя супярэчнікі and Тырыстары - DIAC, SIDAC ...
Канкурэнтная перавага:
Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах ON Semiconductor 1N916. 1N916 можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

1N916 Атрыбуты прадукту

Частка нумар : 1N916
Вытворца : ON Semiconductor
Апісанне : DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35
Серыя : -
Статус часткі : Active
Дыёдны тып : Standard
Напружанне - рэверс пастаяннага току (Vr) (макс.) : 100V
Ток - Сярэдняя выпраўленасць (Io) : 200mA
Напруга - наперад (Vf) (макс.) @ Калі : 1V @ 10mA
Хуткасць : Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Рэверсны час аднаўлення (TRR) : 4ns
Ток - Зваротная ўцечка @ Vr : 5µA @ 75V
Ёмістасць @ Vr, F : 2pF @ 0V, 1MHz
Тып мантажу : Through Hole
Пакет / футляр : DO-204AH, DO-35, Axial
Пакет прылад пастаўшчыка : DO-35
Працоўная тэмпература - развязка : -65°C ~ 175°C

Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў
  • CDBDSC8650-G

    Comchip Technology

    DIODE SILICON CARBIDE POWER SCHO. Schottky Diodes & Rectifiers SiC POWER SCHOTTKY 8A 650V

  • VS-8EWS10STRPBF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 1KV 8A DPAK.

  • VS-8EWS10STRRPBF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 1KV 8A DPAK.

  • VS-E4PH6006L-N3

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 600V 60A TO247AD. Rectifiers 600V 60A FRED Pt TO-247 LL 2L

  • SBLB10L25HE3/45

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 25V 10A TO263AB.

  • MBRB16H35HE3/45

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 35V 16A TO263AB.