Ampleon USA Inc. - BLP8G05S-200GY

KEY Part #: K6465660

BLP8G05S-200GY Цэнаўтварэнне (USD) [2013шт шт]

1 pcs$26.42159
100 pcs$26.29014

Частка нумар:: BLP8G05S-200GY

Вытворца:: Ampleon USA Inc.

Падрабязнае апісанне:: RF FET LDMOS 65V 21DB SOT12042.

Manufacturer's standard lead time:: У наяўнасці

Тэрмін прыдатнасці:: Адзін год

Фішка ад:: Ганконг

RoHS:

Спосаб аплаты:

Адгрузка спосабам:

Катэгорыі сям'і:: KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Транзістары - IGBT - Модулі, Дыёды - выпрамнікі - масівы, Тырыстары - SCR - Модулі, Модулі драйвераў харчавання, Транзістары - біпалярныя (BJT) - масівы, Дыёды - Зэнер - Масівы, Дыёды - Мастовыя выпрамнікі and Тырыстары - SCR ...

Канкурэнтная перавага:: Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах Ampleon USA Inc. BLP8G05S-200GY. BLP8G05S-200GY можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com

GB-T-27922

ISO-9001-2015

ISO-13485

ISO-14001

ISO-28000-2007

ISO-45001-2018

BLP8G05S-200GY Атрыбуты прадукту

Частка нумар : BLP8G05S-200GY

Вытворца : Ampleon USA Inc.

Апісанне : RF FET LDMOS 65V 21DB SOT12042

Серыя : -

Статус часткі : Active

Тып транзістара : LDMOS (Dual), Common Source

Частата : 440MHz

Ўзмоцніць : 21dB

Напружанне - тэст : 28V

Бягучы рэйтынг : -

Фігура шуму : -

Ток - тэст : 2mA

Магутнасць - выхад : 210W

Напружанне - Намінальны : 65V

Пакет / футляр : SOT-1204-2

Пакет прылад пастаўшчыка : 4-HSOP

Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў

PD54008L-E

STMicroelectronics

TRANSISTOR RF 5X5 POWERFLAT.
AFT09S200W02NR3

NXP USA Inc.

FET RF 70V 960MHZ PLD.
PTFB210801FA-V1-R250

Cree/Wolfspeed

FET RF LDMOS 80W H37265-2.
A2I20H060NR1

NXP USA Inc.

IC TRANS RF LDMOS.
PTVA120501EA-V1-R0

Cree/Wolfspeed

IC AMP RF LDMOS H-36265-2.
PTVA102001EA-V1-R0

Cree/Wolfspeed

RF MOSFET TRANSISTORS.

Гарачыя часткі

English Беларусь