Cree/Wolfspeed - C4D10120A

KEY Part #: K6447655

C4D10120A Цэнаўтварэнне (USD) [8305шт шт]

  • 1 pcs$4.96228
  • 100 pcs$4.13377
  • 500 pcs$3.54325
  • 1,000 pcs$3.10254

Частка нумар:
C4D10120A
Вытворца:
Cree/Wolfspeed
Падрабязнае апісанне:
DIODE SCHOTTKY 1.2KV 10A TO220-2. Schottky Diodes & Rectifiers SIC SCHOTTKY DIODE 1200V, 10A
Manufacturer's standard lead time:
У наяўнасці
Тэрмін прыдатнасці:
Адзін год
Фішка ад:
Ганконг
RoHS:
Спосаб аплаты:
Адгрузка спосабам:
Катэгорыі сям'і:
KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Транзістары - біпалярныя (BJT) - масівы, загадзя п, Транзістары - біпалярныя (BJT) - адзінкавыя, Транзістары - БНТ, МОФФЕТ - РФ, Дыёды - Зэнер - Адзінокі, Транзістары - біпалярныя (BJT) - РФ, Транзістары - IGBT - адзінкавыя, Транзістары - БНТ, MOSFET - Масівы and Транзістары - FET, MOSFET - адзінкавыя ...
Канкурэнтная перавага:
Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах Cree/Wolfspeed C4D10120A. C4D10120A можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

C4D10120A Атрыбуты прадукту

Частка нумар : C4D10120A
Вытворца : Cree/Wolfspeed
Апісанне : DIODE SCHOTTKY 1.2KV 10A TO220-2
Серыя : Z-Rec®
Статус часткі : Active
Дыёдны тып : Silicon Carbide Schottky
Напружанне - рэверс пастаяннага току (Vr) (макс.) : 1200V
Ток - Сярэдняя выпраўленасць (Io) : 33A (DC)
Напруга - наперад (Vf) (макс.) @ Калі : 1.8V @ 10A
Хуткасць : No Recovery Time > 500mA (Io)
Рэверсны час аднаўлення (TRR) : 0ns
Ток - Зваротная ўцечка @ Vr : 250µA @ 1200V
Ёмістасць @ Vr, F : 754pF @ 0V, 1MHz
Тып мантажу : Through Hole
Пакет / футляр : TO-220-2
Пакет прылад пастаўшчыка : TO-220-2
Працоўная тэмпература - развязка : -55°C ~ 175°C

Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў
  • RURD660S9A-F085

    ON Semiconductor

    DIODE GEN PURP 600V 6A DPAK. Rectifiers Ultrafast Power Rectifier, 6A 600V

  • RURD660S9A-F085P

    ON Semiconductor

    UFR DPAK PN 6A 200V. Rectifiers 6A, 600V Ultrafast Diodes

  • FFSD08120A

    ON Semiconductor

    1200V 8A SIC SBD. Schottky Diodes & Rectifiers 1200V 8A SIC SBD

  • RURD460S9A

    ON Semiconductor

    DIODE GEN PURP 600V 4A TO252. Diodes - General Purpose, Power, Switching Ultra Fast Diode 4a 600V

  • 1PS193,115

    NXP USA Inc.

    DIODE GEN PURP 80V 215MA SMT3.

  • 1PS193,135

    NXP USA Inc.

    DIODE GEN PURP 80V 215MA SMT3.