1N5818 Цэнаўтварэнне (USD) [1161612шт шт]
- 1 pcs$0.03456
- 2,000 pcs$0.03438
- 6,000 pcs$0.03247
- 10,000 pcs$0.02961
- 50,000 pcs$0.02547
- Частка нумар:
- 1N5818
- Вытворца:
- ON Semiconductor
- Падрабязнае апісанне:
- DIODE SCHOTTKY 30V 1A DO41. Schottky Diodes & Rectifiers Vr/30V Io/1A BULK
- Manufacturer's standard lead time:
- У наяўнасці
- Тэрмін прыдатнасці:
- Адзін год
- Фішка ад:
- Ганконг
- RoHS:
- Спосаб аплаты:
-
- Адгрузка спосабам:
- Катэгорыі сям'і:
- KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Дыёды - РФ, Дыёды - выпрамнікі - адзіночныя, Транзістары - праграмуемыя супярэчнікі, Дыёды - Зэнер - Масівы, Транзістары - спецыяльнага прызначэння, Дыёды - выпрамнікі - масівы, Транзістары - IGBT - адзінкавыя and Транзістары - IGBT - масівы ...
- Канкурэнтная перавага:
- Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах ON Semiconductor 1N5818. 1N5818 можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
1N5818 Атрыбуты прадукту
Частка нумар :
1N5818
Вытворца :
ON Semiconductor
Апісанне :
DIODE SCHOTTKY 30V 1A DO41
Серыя :
-
Статус часткі :
Active
Дыёдны тып :
Schottky
Напружанне - рэверс пастаяннага току (Vr) (макс.) :
30V
Ток - Сярэдняя выпраўленасць (Io) :
1A
Напруга - наперад (Vf) (макс.) @ Калі :
550mV @ 1A
Хуткасць :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Рэверсны час аднаўлення (TRR) :
-
Ток - Зваротная ўцечка @ Vr :
500µA @ 30V
Ёмістасць @ Vr, F :
110pF @ 4V, 1MHz
Тып мантажу :
Through Hole
Пакет / футляр :
DO-204AL, DO-41, Axial
Пакет прылад пастаўшчыка :
DO-41
Працоўная тэмпература - развязка :
-65°C ~ 125°C
Апошнія навіны
Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў
-
-
BAS16E6327HTSA1
Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching AF DIODE 85V 0.25A
-
-
CMDD6001 TR
Central Semiconductor Corp
DIODE GEN PURP 75V 250MA SOD323. Diodes - General Purpose, Power, Switching Ultra Low Leakage 71Vr 100Vrrm 250mA
-
VS-5EWH06FNTR-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 600V 5A DPAK. Rectifiers Hyperfast 5A 600V 18ns
-
1N4150W-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 50V 200MA SOD123. Diodes - General Purpose, Power, Switching 50 Volt 500mA 4ns
Гарачыя часткі
- IDT06S60CHKSA1
- GP10A-5016M3/54
- 1N4006GPE-M3/73
- D740N36TXPSA1
- UF4005 BK
- JANS1N6677UR-1
- BA157GP-M3/54
- GP02-40-M3/73
- 1N4004GPE-E3/93
- RU 4DS
- VS-MBRD330TRLPBF
- SK310B/TR13
- SB10-05A3-BT
- DLA11C-TR-E
- GPA804-BP
- 1N5401-AP
- SS32HE3/57T
- SS25HE3/52T
- SS320HE-TP
- RJU6053WDPP-M0#T2
- S3GHE3/57T
- RS3BHE3/9AT
- RGP5020-E3/54
- GPP15M-E3/54
- GI917-E3/54
- FGP30D-E3/73
- MBRD835L
- MR856
- MBRS3201T3
- SIDC53D120H6X1SA3
- VS-MUR1520PBF
- 80EPS08
- S3AB-13
- FR1J-LTP
- D255K06BXPSA1
- STPSC5H12D
- RGF1D-E3/67A
- RB068LAM150TR
- RF01VM2STE-17
- LS103A-GS18