Microsemi Corporation - JANS1N6661US

KEY Part #: K6442532

Катэгорыі сям'і:: KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Транзістары - БНТ, MOSFET - Масівы, Модулі драйвераў харчавання, Транзістары - біпалярныя (BJT) - масівы, Транзістары - БНТ, МОФФЕТ - РФ, Транзістары - IGBT - масівы, Транзістары - праграмуемыя супярэчнікі, Дыёды - Зэнер - Адзінокі and Транзістары - IGBT - Модулі ...

Канкурэнтная перавага:: Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах Microsemi Corporation JANS1N6661US. JANS1N6661US можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com

Частка нумар : JANS1N6661US

Вытворца : Microsemi Corporation

Апісанне : DIODE GEN PURP 225V 500MA D5D

Серыя : Military, MIL-PRF-19500/587

Статус часткі : Active

Дыёдны тып : Standard

Напружанне - рэверс пастаяннага току (Vr) (макс.) : 225V

Ток - Сярэдняя выпраўленасць (Io) : 500mA

Напруга - наперад (Vf) (макс.) @ Калі : 1V @ 400mA

Хуткасць : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Рэверсны час аднаўлення (TRR) : -

Ток - Зваротная ўцечка @ Vr : 50nA @ 225V

Ёмістасць @ Vr, F : -

Тып мантажу : Surface Mount

Пакет / футляр : SQ-MELF, A

Пакет прылад пастаўшчыка : D-5A

Працоўная тэмпература - развязка : -65°C ~ 175°C

Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў

GP2D010A120C

Global Power Technologies Group

DIODE SCHOTTKY 1.2KV 10A TO252-2.
GP2D006A065C

Global Power Technologies Group

DIODE SCHOTTKY 650V 6A TO252-2.
GP2D005A120C

Global Power Technologies Group

DIODE SCHOTTKY 1.2KV 5A DPAK-2.
STPS20M100SFP

STMicroelectronics

DIODE SCHOTTKY 100V 20A TO220FP.
1PS74SB23,125

Nexperia USA Inc.

DIODE SCHOTTKY 25V 1A 6TSOP. Schottky Diodes & Rectifiers DIODE SCHOTTKY
VS-60APF12-M3

Vishay Semiconductor Diodes Division

DIODE GEN PURP 1.2KV 60A TO247AC. Rectifiers New Input Diodes - TO-247-e3

Гарачыя часткі