ON Semiconductor - NTJD4401NT4

KEY Part #: K6524492

[4640шт шт]


    Частка нумар:
    NTJD4401NT4
    Вытворца:
    ON Semiconductor
    Падрабязнае апісанне:
    MOSFET 2N-CH 20V 0.63A SOT363.
    Manufacturer's standard lead time:
    У наяўнасці
    Тэрмін прыдатнасці:
    Адзін год
    Фішка ад:
    Ганконг
    RoHS:
    Спосаб аплаты:
    Адгрузка спосабам:
    Катэгорыі сям'і:
    KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Тырыстары - SCR, Тырыстары - DIAC, SIDAC, Дыёды - РФ, Модулі драйвераў харчавання, Транзістары - біпалярныя (BJT) - адзінкавыя, Транзістары - JFET, Транзістары - біпалярныя (BJT) - РФ and Транзістары - БНТ, MOSFET - Масівы ...
    Канкурэнтная перавага:
    Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах ON Semiconductor NTJD4401NT4. NTJD4401NT4 можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    NTJD4401NT4 Атрыбуты прадукту

    Частка нумар : NTJD4401NT4
    Вытворца : ON Semiconductor
    Апісанне : MOSFET 2N-CH 20V 0.63A SOT363
    Серыя : -
    Статус часткі : Obsolete
    Тып FET : 2 N-Channel (Dual)
    Функцыя FET : Logic Level Gate
    Зліў да крыніцы напругі (Vdss) : 20V
    Ток - бесперапынны зліў (Id) пры 25 ° C : 630mA
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 375 mOhm @ 630mA, 4.5V
    Vgs (й) (Max) @ Id : 1.5V @ 250µA
    Зарад брамы (Qg) (макс.) @ Vgs : 3nC @ 4.5V
    Ёмістасць уводу (Ciss) (макс.) @ Vds : 46pF @ 20V
    Магутнасць - Макс : 270mW
    Працоўная тэмпература : -55°C ~ 150°C (TJ)
    Тып мантажу : Surface Mount
    Пакет / футляр : 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
    Пакет прылад пастаўшчыка : SC-88/SC70-6/SOT-363

    Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў