Частка нумар :
SI7407DN-T1-GE3
Вытворца :
Vishay Siliconix
Апісанне :
MOSFET P-CH 12V 9.9A PPAK 1212-8
Тэхналогіі :
MOSFET (Metal Oxide)
Зліў да крыніцы напругі (Vdss) :
12V
Ток - бесперапынны зліў (Id) пры 25 ° C :
9.9A (Ta)
Напруга прывада (уключаны макс. Rds, уключаецца мінімальная Rds) :
1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
12 mOhm @ 15.6A, 4.5V
Vgs (й) (Max) @ Id :
1V @ 400µA
Зарад брамы (Qg) (макс.) @ Vgs :
59nC @ 4.5V
Ёмістасць уводу (Ciss) (макс.) @ Vds :
-
Рассейванне магутнасці (макс.) :
1.5W (Ta)
Працоўная тэмпература :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тып мантажу :
Surface Mount
Пакет прылад пастаўшчыка :
PowerPAK® 1212-8
Пакет / футляр :
PowerPAK® 1212-8