ISSI, Integrated Silicon Solution Inc - IS61NLP25636A-200B2LI

KEY Part #: K920607

Падрабязнае апісанне:: IC SRAM 9M PARALLEL 119PBGA. SRAM 8M (256Kx36) 200MHz Sync SRAM 3.3v

Катэгорыі сям'і:: KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: PMIC - лазерныя драйверы, Логіка - зменныя рэестры, Памяць - Proms налады для FPGA, Логіка - буферы, драйверы, прыёмнікі, прымачы, Аўдыё спецыяльнага прызначэння, Логіка - генератары парыльнасці і шашкі, Лінейныя - параўнальнікі and PMIC - Напружанне ...

Канкурэнтная перавага:: Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61NLP25636A-200B2LI. IS61NLP25636A-200B2LI можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com

Частка нумар : IS61NLP25636A-200B2LI

Вытворца : ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Апісанне : IC SRAM 9M PARALLEL 119PBGA

Серыя : -

Статус часткі : Active

Тып памяці : Volatile

Фармат памяці : SRAM

Тэхналогіі : SRAM - Synchronous

Памер памяці : 9Mb (256K x 36)

Тактовая частата : 200MHz

Час цыкла напісання - слова, старонка : -

Час доступу : 3.1ns

Інтэрфейс памяці : Parallel

Напружанне - падача : 3.135V ~ 3.465V

Працоўная тэмпература : -40°C ~ 85°C (TA)

Тып мантажу : Surface Mount

Пакет / футляр : 119-BBGA

Пакет прылад пастаўшчыка : 119-PBGA (14x22)

Silicom MinnowBoard Turbot

Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў

W25Q128BVEJG

Winbond Electronics

IC FLASH MEMORY 128MB.
W25Q32FVZEJQ TR

Winbond Electronics

IC FLASH MEMORY 32MB.
W25Q256FVEJF TR

Winbond Electronics

IC FLASH MEMORY 256MB.
MR20H40CDFR

Everspin Technologies Inc.

IC RAM 4M SPI 50MHZ 8DFN. NVRAM 4Mb 3.3V 50Mhz 512K x 8 SPI
GD25VQ80CTIGR

GigaDevice Semiconductor (HK) Limited

NOR FLASH.
7130LA25TFGI

IDT, Integrated Device Technology Inc

IC SRAM 8K PARALLEL 64TQFP. SRAM 1K x 8 Dual Port High Speed RAM

Гарачыя часткі