IXYS - IXFN34N100

KEY Part #: K6400820

IXFN34N100 Цэнаўтварэнне (USD) [2165шт шт]

  • 1 pcs$21.10267
  • 10 pcs$20.99768

Частка нумар:
IXFN34N100
Вытворца:
IXYS
Падрабязнае апісанне:
MOSFET N-CH 1000V 34A SOT-227B.
Manufacturer's standard lead time:
У наяўнасці
Тэрмін прыдатнасці:
Адзін год
Фішка ад:
Ганконг
RoHS:
Спосаб аплаты:
Адгрузка спосабам:
Катэгорыі сям'і:
KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Транзістары - праграмуемыя супярэчнікі, Дыёды - Зэнер - Адзінокі, Тырыстары - TRIAC, Транзістары - біпалярныя (BJT) - РФ, Транзістары - біпалярныя (BJT) - масівы, загадзя п, Дыёды - выпрамнікі - адзіночныя, Дыёды - пераменная ёмістасць (Varicaps, Varactors) and Дыёды - Зэнер - Масівы ...
Канкурэнтная перавага:
Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах IXYS IXFN34N100. IXFN34N100 можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXFN34N100 Атрыбуты прадукту

Частка нумар : IXFN34N100
Вытворца : IXYS
Апісанне : MOSFET N-CH 1000V 34A SOT-227B
Серыя : HiPerFET™
Статус часткі : Active
Тып FET : N-Channel
Тэхналогіі : MOSFET (Metal Oxide)
Зліў да крыніцы напругі (Vdss) : 1000V
Ток - бесперапынны зліў (Id) пры 25 ° C : 34A (Tc)
Напруга прывада (уключаны макс. Rds, уключаецца мінімальная Rds) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 280 mOhm @ 500mA, 10V
Vgs (й) (Max) @ Id : 5.5V @ 8mA
Зарад брамы (Qg) (макс.) @ Vgs : 380nC @ 10V
Vgs (макс.) : ±20V
Ёмістасць уводу (Ciss) (макс.) @ Vds : 9200pF @ 25V
Функцыя FET : -
Рассейванне магутнасці (макс.) : 700W (Tc)
Працоўная тэмпература : -55°C ~ 150°C (TJ)
Тып мантажу : Chassis Mount
Пакет прылад пастаўшчыка : SOT-227B
Пакет / футляр : SOT-227-4, miniBLOC

Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў
  • IRLR2905ZPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 55V 42A DPAK.

  • 2SK3045

    Panasonic Electronic Components

    MOSFET N-CH 500V 2.5A TO-220D.

  • IPB04N03LA

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 25V 80A D2PAK.

  • IPB04N03LAT

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 25V 80A D2PAK.

  • SPB02N60S5ATMA1

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 600V 1.8A TO-263.

  • SPB42N03S2L-13

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 30V 42A D2PAK.