Vishay Semiconductor Diodes Division - GL34J-E3/83

KEY Part #: K6458005

GL34J-E3/83 Цэнаўтварэнне (USD) [793899шт шт]

  • 1 pcs$0.04916
  • 9,000 pcs$0.04892
  • 18,000 pcs$0.04576
  • 27,000 pcs$0.04208

Частка нумар:
GL34J-E3/83
Вытворца:
Vishay Semiconductor Diodes Division
Падрабязнае апісанне:
DIODE GEN PURP 600V 500MA DO213. Rectifiers 600 Volt 0.5 Amp 10 Amp IFSM
Manufacturer's standard lead time:
У наяўнасці
Тэрмін прыдатнасці:
Адзін год
Фішка ад:
Ганконг
RoHS:
Спосаб аплаты:
Адгрузка спосабам:
Катэгорыі сям'і:
KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Тырыстары - TRIAC, Транзістары - спецыяльнага прызначэння, Транзістары - FET, MOSFET - адзінкавыя, Транзістары - біпалярныя (BJT) - масівы, Транзістары - біпалярныя (BJT) - масівы, загадзя п, Транзістары - IGBT - адзінкавыя, Дыёды - пераменная ёмістасць (Varicaps, Varactors) and Тырыстары - SCR ...
Канкурэнтная перавага:
Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах Vishay Semiconductor Diodes Division GL34J-E3/83. GL34J-E3/83 можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

GL34J-E3/83 Атрыбуты прадукту

Частка нумар : GL34J-E3/83
Вытворца : Vishay Semiconductor Diodes Division
Апісанне : DIODE GEN PURP 600V 500MA DO213
Серыя : SUPERECTIFIER®
Статус часткі : Active
Дыёдны тып : Standard
Напружанне - рэверс пастаяннага току (Vr) (макс.) : 600V
Ток - Сярэдняя выпраўленасць (Io) : 500mA
Напруга - наперад (Vf) (макс.) @ Калі : 1.3V @ 500mA
Хуткасць : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Рэверсны час аднаўлення (TRR) : 1.5µs
Ток - Зваротная ўцечка @ Vr : 5µA @ 600V
Ёмістасць @ Vr, F : 4pF @ 4V, 1MHz
Тып мантажу : Surface Mount
Пакет / футляр : DO-213AA (Glass)
Пакет прылад пастаўшчыка : DO-213AA (GL34)
Працоўная тэмпература - развязка : -65°C ~ 175°C

Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў
  • GL34B-E3/98

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 100V 500MA DO213. Rectifiers 100 Volt 0.5 Amp 10 Amp IFSM

  • GL34J-E3/98

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 600V 500MA DO213. Rectifiers 600 Volt 0.5 Amp 10 Amp IFSM

  • BYM07-150HE3_A/H

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 150V 500MA DO213. Rectifiers 0.5A,150V,50NS GL34 AEC-Q101 Qualified

  • BYM07-400-E3/83

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 400V 500MA DO213. Rectifiers 400 Volt 0.5A 50ns Glass Passivated

  • EGL34G-E3/83

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 400V 500MA DO213. Rectifiers 0.5Amp 400 Volt 50ns

  • GL34B-E3/83

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 100V 500MA DO213. Rectifiers 100 Volt 0.5 Amp 10 Amp IFSM