RB751CS-40T2R Цэнаўтварэнне (USD) [735808шт шт]
- 1 pcs$0.05557
- 8,000 pcs$0.05529
- Частка нумар:
- RB751CS-40T2R
- Вытворца:
- Rohm Semiconductor
- Падрабязнае апісанне:
- DIODE SCHOTTKY 30V 30MA VMN2. Schottky Diodes & Rectifiers SCHOTTKY BARRIER
- Manufacturer's standard lead time:
- У наяўнасці
- Тэрмін прыдатнасці:
- Адзін год
- Фішка ад:
- Ганконг
- RoHS:
- Спосаб аплаты:
-
- Адгрузка спосабам:
- Катэгорыі сям'і:
- KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Транзістары - біпалярныя (BJT) - РФ, Тырыстары - SCR - Модулі, Транзістары - IGBT - адзінкавыя, Тырыстары - SCR, Транзістары - IGBT - масівы, Модулі драйвераў харчавання, Транзістары - біпалярныя (BJT) - аднамесныя, з пап and Дыёды - РФ ...
- Канкурэнтная перавага:
- Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах Rohm Semiconductor RB751CS-40T2R. RB751CS-40T2R можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
RB751CS-40T2R Атрыбуты прадукту
Частка нумар :
RB751CS-40T2R
Вытворца :
Rohm Semiconductor
Апісанне :
DIODE SCHOTTKY 30V 30MA VMN2
Серыя :
-
Статус часткі :
Not For New Designs
Дыёдны тып :
Schottky
Напружанне - рэверс пастаяннага току (Vr) (макс.) :
30V
Ток - Сярэдняя выпраўленасць (Io) :
30mA
Напруга - наперад (Vf) (макс.) @ Калі :
370mV @ 1mA
Хуткасць :
Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Рэверсны час аднаўлення (TRR) :
-
Ток - Зваротная ўцечка @ Vr :
500nA @ 30V
Ёмістасць @ Vr, F :
2pF @ 1V, 1MHz
Тып мантажу :
Surface Mount
Пакет / футляр :
SOD-923
Пакет прылад пастаўшчыка :
VMN2
Працоўная тэмпература - развязка :
125°C (Max)
Апошнія навіны
Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў
-
BYM07-200-E3/83
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 200V 500MA DO213. Rectifiers 200 Volt 0.5A 50ns Glass Passivated
-
BYM07-50-E3/83
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 50V 500MA DO213AA. Rectifiers 50 Volt 0.5A 50ns Glass Passivated
-
EGL34C-E3/83
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 150V 500MA DO213. Rectifiers 0.5Amp 150 Volt 50ns
-
EGL34B-E3/83
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 100V 500MA DO213. Rectifiers 0.5Amp 100 Volt 50ns
-
EGL34A-E3/98
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 50V 500MA DO213AA. Rectifiers 0.5 Amp 50 Volt 50ns
-
RGL34B-E3/98
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 100V 500MA DO213. Diodes - General Purpose, Power, Switching 100 Volt 0.5A 150ns 10 Amp IFSM
Гарачыя часткі
- IDD12SG60CXTMA2
- S1MFL RVG
- RGP10J-5025M3/73
- JAN1N1190
- R4260F
- R9G22011ASOO
- MURS120HE3/52T
- IDW12G65C5FKSA1
- SB040-E3/54
- NSRM30CM3T5G
- AR3PJHM3/86A
- VS-60CPF02PBF
- VS-150SQ035
- RGP02-14E-M3/73
- RS1GHE3/5AT
- RGP5020HE3/54
- SB160A-E3/73
- GP15KHE3/73
- 1N4937L-T
- MR7510-BP
- JAN1N6629US
- STTH40P03SFP
- BAS29_D87Z
- D4015L
- VS-12TQ040PBF
- SS16T3
- MBRB745
- RS3G-13
- 20ETS12S
- 1PS59SB20,115
- MBRM120ET1H
- ER1D-TP
- 1N4935-TP
- MUR110-AP
- STPS2H100UF
- RU 2V1
- SK56C M6G
- ESH2CHE3_A/I
- BA159GPE-E3/73
- LL4448-GS08