GeneSiC Semiconductor - MBR600200CTR

KEY Part #: K6468517

MBR600200CTR Цэнаўтварэнне (USD) [729шт шт]

  • 1 pcs$63.61256
  • 25 pcs$37.09736

Частка нумар:
MBR600200CTR
Вытворца:
GeneSiC Semiconductor
Падрабязнае апісанне:
DIODE SCHOTTKY 200V 300A 2 TOWER. Schottky Diodes & Rectifiers 150V 600A Reverse
Manufacturer's standard lead time:
У наяўнасці
Тэрмін прыдатнасці:
Адзін год
Фішка ад:
Ганконг
RoHS:
Спосаб аплаты:
Адгрузка спосабам:
Катэгорыі сям'і:
KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Транзістары - біпалярныя (BJT) - аднамесныя, з пап, Транзістары - спецыяльнага прызначэння, Дыёды - Мастовыя выпрамнікі, Транзістары - БНТ, МОФФЕТ - РФ, Дыёды - выпрамнікі - масівы, Транзістары - IGBT - Модулі, Тырыстары - TRIAC and Транзістары - IGBT - масівы ...
Канкурэнтная перавага:
Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах GeneSiC Semiconductor MBR600200CTR. MBR600200CTR можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

MBR600200CTR Атрыбуты прадукту

Частка нумар : MBR600200CTR
Вытворца : GeneSiC Semiconductor
Апісанне : DIODE SCHOTTKY 200V 300A 2 TOWER
Серыя : -
Статус часткі : Active
Канфігурацыя дыёда : 1 Pair Common Anode
Дыёдны тып : Schottky
Напружанне - рэверс пастаяннага току (Vr) (макс.) : 200V
Ток - Сярэдняя выпраўленасць (Io) (на дыёд) : 300A
Напруга - наперад (Vf) (макс.) @ Калі : 920mV @ 300A
Хуткасць : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Рэверсны час аднаўлення (TRR) : -
Ток - Зваротная ўцечка @ Vr : 3mA @ 200V
Працоўная тэмпература - развязка : -55°C ~ 150°C
Тып мантажу : Chassis Mount
Пакет / футляр : Twin Tower
Пакет прылад пастаўшчыка : Twin Tower
Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў
  • LQA10N150C

    Power Integrations

    DIODE CC 150V 5A DUAL TO252. Rectifiers 150V, Dual, 5A Ultra-Low Qrr Rect

  • MMBF4416A

    ON Semiconductor

    JFET N-CH 35V 15MA SOT23.

  • 2SK209-GR(TE85L,F)

    Toshiba Semiconductor and Storage

    JFET N-CH SOT23.

  • BF999E6327HTSA1

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH RF 20V 30MA SOT-23.

  • MMBD1405A

    ON Semiconductor

    DIODE ARRAY GP 175V 200MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching High Voltage General Purpose

  • BAS4005E6433HTMA1

    Infineon Technologies

    DIODE ARRAY SCHOTTKY 40V SOT23.