Частка нумар :
TSM110NB04LCR RLG
Вытворца :
Taiwan Semiconductor Corporation
Апісанне :
MOSFET SINGLE N-CHANNEL TRENCH
Тэхналогіі :
MOSFET (Metal Oxide)
Зліў да крыніцы напругі (Vdss) :
40V
Ток - бесперапынны зліў (Id) пры 25 ° C :
12A (Ta), 54A (Tc)
Напруга прывада (уключаны макс. Rds, уключаецца мінімальная Rds) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
11 mOhm @ 12A, 10V
Vgs (й) (Max) @ Id :
2.5V @ 250µA
Зарад брамы (Qg) (макс.) @ Vgs :
23nC @ 10V
Ёмістасць уводу (Ciss) (макс.) @ Vds :
1269pF @ 20V
Рассейванне магутнасці (макс.) :
3.1W (Ta), 68W (Tc)
Працоўная тэмпература :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Тып мантажу :
Surface Mount
Пакет прылад пастаўшчыка :
8-PDFN (5x6)
Пакет / футляр :
8-PowerTDFN