Vishay Siliconix - SI4472DY-T1-GE3

KEY Part #: K6406397

SI4472DY-T1-GE3 Цэнаўтварэнне (USD) [1333шт шт]

  • 2,500 pcs$0.52030

Частка нумар:
SI4472DY-T1-GE3
Вытворца:
Vishay Siliconix
Падрабязнае апісанне:
MOSFET N-CH 150V 7.7A 8-SOIC.
Manufacturer's standard lead time:
У наяўнасці
Тэрмін прыдатнасці:
Адзін год
Фішка ад:
Ганконг
RoHS:
Спосаб аплаты:
Адгрузка спосабам:
Катэгорыі сям'і:
KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Транзістары - JFET, Транзістары - біпалярныя (BJT) - РФ, Транзістары - IGBT - адзінкавыя, Транзістары - біпалярныя (BJT) - адзінкавыя, Тырыстары - SCR, Транзістары - праграмуемыя супярэчнікі, Транзістары - IGBT - Модулі and Тырыстары - TRIAC ...
Канкурэнтная перавага:
Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах Vishay Siliconix SI4472DY-T1-GE3. SI4472DY-T1-GE3 можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SI4472DY-T1-GE3 Атрыбуты прадукту

Частка нумар : SI4472DY-T1-GE3
Вытворца : Vishay Siliconix
Апісанне : MOSFET N-CH 150V 7.7A 8-SOIC
Серыя : -
Статус часткі : Obsolete
Тып FET : N-Channel
Тэхналогіі : MOSFET (Metal Oxide)
Зліў да крыніцы напругі (Vdss) : 150V
Ток - бесперапынны зліў (Id) пры 25 ° C : 7.7A (Tc)
Напруга прывада (уключаны макс. Rds, уключаецца мінімальная Rds) : 8V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 45 mOhm @ 5A, 10V
Vgs (й) (Max) @ Id : 4.5V @ 250µA
Зарад брамы (Qg) (макс.) @ Vgs : 43nC @ 10V
Vgs (макс.) : ±20V
Ёмістасць уводу (Ciss) (макс.) @ Vds : 1735pF @ 50V
Функцыя FET : -
Рассейванне магутнасці (макс.) : 3.1W (Ta), 5.9W (Tc)
Працоўная тэмпература : -55°C ~ 150°C (TJ)
Тып мантажу : Surface Mount
Пакет прылад пастаўшчыка : 8-SO
Пакет / футляр : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў