Частка нумар :
SI4472DY-T1-GE3
Вытворца :
Vishay Siliconix
Апісанне :
MOSFET N-CH 150V 7.7A 8-SOIC
Тэхналогіі :
MOSFET (Metal Oxide)
Зліў да крыніцы напругі (Vdss) :
150V
Ток - бесперапынны зліў (Id) пры 25 ° C :
7.7A (Tc)
Напруга прывада (уключаны макс. Rds, уключаецца мінімальная Rds) :
8V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
45 mOhm @ 5A, 10V
Vgs (й) (Max) @ Id :
4.5V @ 250µA
Зарад брамы (Qg) (макс.) @ Vgs :
43nC @ 10V
Ёмістасць уводу (Ciss) (макс.) @ Vds :
1735pF @ 50V
Рассейванне магутнасці (макс.) :
3.1W (Ta), 5.9W (Tc)
Працоўная тэмпература :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тып мантажу :
Surface Mount
Пакет прылад пастаўшчыка :
8-SO
Пакет / футляр :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)