1SS367,H3F Цэнаўтварэнне (USD) [2710765шт шт]
- 1 pcs$0.08701
- 10 pcs$0.08029
- 25 pcs$0.05774
- 100 pcs$0.04493
- 250 pcs$0.02822
- 500 pcs$0.02406
- 1,000 pcs$0.01636
- Частка нумар:
- 1SS367,H3F
- Вытворца:
- Toshiba Semiconductor and Storage
- Падрабязнае апісанне:
- DIODE SCHOTTKY 10V 100MA SC76. Schottky Diodes & Rectifiers Sml-Signal Schottky Barrier Diode
- Manufacturer's standard lead time:
- У наяўнасці
- Тэрмін прыдатнасці:
- Адзін год
- Фішка ад:
- Ганконг
- RoHS:
- Спосаб аплаты:
-
- Адгрузка спосабам:
- Катэгорыі сям'і:
- KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Транзістары - IGBT - Модулі, Дыёды - Зэнер - Адзінокі, Тырыстары - DIAC, SIDAC, Тырыстары - SCR - Модулі, Дыёды - пераменная ёмістасць (Varicaps, Varactors), Транзістары - IGBT - масівы, Тырыстары - TRIAC and Транзістары - БНТ, MOSFET - Масівы ...
- Канкурэнтная перавага:
- Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах Toshiba Semiconductor and Storage 1SS367,H3F. 1SS367,H3F можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
1SS367,H3F Атрыбуты прадукту
Частка нумар :
1SS367,H3F
Вытворца :
Toshiba Semiconductor and Storage
Апісанне :
DIODE SCHOTTKY 10V 100MA SC76
Серыя :
-
Статус часткі :
Active
Дыёдны тып :
Schottky
Напружанне - рэверс пастаяннага току (Vr) (макс.) :
10V
Ток - Сярэдняя выпраўленасць (Io) :
100mA
Напруга - наперад (Vf) (макс.) @ Калі :
500mV @ 100mA
Хуткасць :
Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Рэверсны час аднаўлення (TRR) :
-
Ток - Зваротная ўцечка @ Vr :
20µA @ 10V
Ёмістасць @ Vr, F :
40pF @ 0V, 1MHz
Тып мантажу :
Surface Mount
Пакет / футляр :
SC-76, SOD-323
Пакет прылад пастаўшчыка :
-
Працоўная тэмпература - развязка :
125°C (Max)
Апошнія навіны
Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў
-
-
BAS16E6327HTSA1
Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching AF DIODE 85V 0.25A
-
-
CMDD6001 TR
Central Semiconductor Corp
DIODE GEN PURP 75V 250MA SOD323. Diodes - General Purpose, Power, Switching Ultra Low Leakage 71Vr 100Vrrm 250mA
-
VS-5EWH06FNTR-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 600V 5A DPAK. Rectifiers Hyperfast 5A 600V 18ns
-
1N4150W-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 50V 200MA SOD123. Diodes - General Purpose, Power, Switching 50 Volt 500mA 4ns
Гарачыя часткі
- IDT06S60CHKSA1
- GP10A-5016M3/54
- 1N4006GPE-M3/73
- D740N36TXPSA1
- UF4005 BK
- JANS1N6677UR-1
- BA157GP-M3/54
- GP02-40-M3/73
- 1N4004GPE-E3/93
- RU 4DS
- VS-MBRD330TRLPBF
- SK310B/TR13
- SB10-05A3-BT
- DLA11C-TR-E
- GPA804-BP
- 1N5401-AP
- SS32HE3/57T
- SS25HE3/52T
- SS320HE-TP
- RJU6053WDPP-M0#T2
- S3GHE3/57T
- RS3BHE3/9AT
- RGP5020-E3/54
- GPP15M-E3/54
- GI917-E3/54
- FGP30D-E3/73
- MBRD835L
- MR856
- MBRS3201T3
- SIDC53D120H6X1SA3
- VS-MUR1520PBF
- 80EPS08
- S3AB-13
- FR1J-LTP
- D255K06BXPSA1
- STPSC5H12D
- RGF1D-E3/67A
- RB068LAM150TR
- RF01VM2STE-17
- LS103A-GS18