GeneSiC Semiconductor - MBRT200100R

KEY Part #: K6468480

Падрабязнае апісанне:: DIODE MODULE 100V 200A 3TOWER. Schottky Diodes & Rectifiers SI PWR SCHOTTKY 3TWR 20-100V 200A100P/70R

Катэгорыі сям'і:: KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Транзістары - БНТ, MOSFET - Масівы, Транзістары - біпалярныя (BJT) - аднамесныя, з пап, Транзістары - біпалярныя (BJT) - масівы, загадзя п, Транзістары - IGBT - адзінкавыя, Тырыстары - TRIAC, Дыёды - пераменная ёмістасць (Varicaps, Varactors), Транзістары - спецыяльнага прызначэння and Дыёды - выпрамнікі - масівы ...

Канкурэнтная перавага:: Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах GeneSiC Semiconductor MBRT200100R. MBRT200100R можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com

Частка нумар : MBRT200100R

Вытворца : GeneSiC Semiconductor

Апісанне : DIODE MODULE 100V 200A 3TOWER

Серыя : -

Статус часткі : Active

Канфігурацыя дыёда : 1 Pair Common Anode

Дыёдны тып : Schottky, Reverse Polarity

Напружанне - рэверс пастаяннага току (Vr) (макс.) : 100V

Ток - Сярэдняя выпраўленасць (Io) (на дыёд) : 200A (DC)

Напруга - наперад (Vf) (макс.) @ Калі : 880mV @ 100A

Хуткасць : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Рэверсны час аднаўлення (TRR) : -

Ток - Зваротная ўцечка @ Vr : 1mA @ 20V

Працоўная тэмпература - развязка : -

Тып мантажу : Chassis Mount

Пакет / футляр : Three Tower

Пакет прылад пастаўшчыка : Three Tower

Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў

2N5246

ON Semiconductor

JFET N-CH 30V 7MA TO92.
2N5953

ON Semiconductor

JFET N-CH 30V 5MA TO92.
2N5951_D27Z

ON Semiconductor

JFET N-CH 30V 13MA TO92.
BF245C_D26Z

ON Semiconductor

JFET N-CH 30V 25MA TO92.
LQA10N150C

Power Integrations

DIODE CC 150V 5A DUAL TO252. Rectifiers 150V, Dual, 5A Ultra-Low Qrr Rect
ATF-34143-TR1

Broadcom Limited

FET RF 5.5V 2GHZ SOT-343.