Калі ваша месцазнаходжанне няма ў спісе, выберыце адно з наступных:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski

Калі ваша месцазнаходжанне няма ў спісе, выберыце адно з наступных:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski
  1. Дадому
  2. Прадукты
  3. Дыскрэтныя паўправадніковыя вырабы
  4. Транзістары - FET, MOSFET - адзінкавыя
  5. FDB8874

ON Semiconductor - FDB8874

KEY Part #: K6411248

[13856шт шт]

    Частка нумар:
    FDB8874
    Вытворца:
    ON Semiconductor
    Падрабязнае апісанне:
    MOSFET N-CH 30V 121A TO-263AB.
    Manufacturer's standard lead time:
    У наяўнасці
    Тэрмін прыдатнасці:
    Адзін год
    Фішка ад:
    Ганконг
    RoHS:
    Спосаб аплаты:
    Адгрузка спосабам:
    Катэгорыі сям'і:
    KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Транзістары - спецыяльнага прызначэння, Транзістары - IGBT - адзінкавыя, Тырыстары - SCR - Модулі, Дыёды - пераменная ёмістасць (Varicaps, Varactors), Дыёды - РФ, Транзістары - FET, MOSFET - адзінкавыя, Транзістары - БНТ, МОФФЕТ - РФ and Транзістары - IGBT - масівы ...
    Канкурэнтная перавага:
    Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах ON Semiconductor FDB8874. FDB8874 можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    FDB8874 Атрыбуты прадукту

    Частка нумар : FDB8874
    Вытворца : ON Semiconductor
    Апісанне : MOSFET N-CH 30V 121A TO-263AB
    Серыя : PowerTrench®
    Статус часткі : Obsolete
    Тып FET : N-Channel
    Тэхналогіі : MOSFET (Metal Oxide)
    Зліў да крыніцы напругі (Vdss) : 30V
    Ток - бесперапынны зліў (Id) пры 25 ° C : 21A (Ta), 121A (Tc)
    Напруга прывада (уключаны макс. Rds, уключаецца мінімальная Rds) : 4.5V, 10V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 4.7 mOhm @ 40A, 10V
    Vgs (й) (Max) @ Id : 2.5V @ 250µA
    Зарад брамы (Qg) (макс.) @ Vgs : 72nC @ 10V
    Vgs (макс.) : ±20V
    Ёмістасць уводу (Ciss) (макс.) @ Vds : 3130pF @ 15V
    Функцыя FET : -
    Рассейванне магутнасці (макс.) : 110W (Tc)
    Працоўная тэмпература : -55°C ~ 175°C (TJ)
    Тып мантажу : Surface Mount
    Пакет прылад пастаўшчыка : TO-263AB
    Пакет / футляр : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

    Апошнія навіны

    ON Semiconductor LV8824QAGEVK Evaluation Kit
    ON Semiconductor NCP187 1.2A Low Dropout Linear Voltage Regulator
    ON Semiconductor NCS2191x Precision Op Amplifiers
    ON Semiconductor NCL2801LED1GEVB Evaluation Board
    ON Semiconductor LMV321, NCV321, LMV358, & LMV324 CMOS Op Amps
    ON Semiconductor FDMS4D5N08LC 80V Single N-Channel Power MOSFET
    ON Semiconductor FUSB380C Autonomous USB Type-C® Cable Marker
    ON Semiconductor LV8316H Single-Phase Motor Driver
    ON Semiconductor NTMYS010N04CL 40V Industrial Power MOSFET
    ON Semiconductor NCP1096 High Power PoE-PD w/ Internal Hot Swap FET
    ON Semiconductor FPF2283CUCX OVP Power Switch IC
    ON Semiconductor NCV8406 65V 7.0A Low Side Driver
    Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў
    • ZVN3320ASTZ

      Diodes Incorporated

      MOSFET N-CH 200V 0.1A TO92-3.

    • ZVN3320ASTOB

      Diodes Incorporated

      MOSFET N-CH 200V 0.1A TO92-3.

    • ZVN3310ASTOA

      Diodes Incorporated

      MOSFET N-CH 100V 200MA TO92-3.

    • ZVN3306ASTOB

      Diodes Incorporated

      MOSFET N-CH 60V 0.27A TO92-3.

    • ZVN3306ASTOA

      Diodes Incorporated

      MOSFET N-CH 60V 0.27A TO92-3.

    • ZVN2535ASTZ

      Diodes Incorporated

      MOSFET N-CH 350V 0.09A TO92-3.

    Гарачыя часткі