Калі ваша месцазнаходжанне няма ў спісе, выберыце адно з наступных:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski

Калі ваша месцазнаходжанне няма ў спісе, выберыце адно з наступных:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski
  1. Дадому
  2. Прадукты
  3. Дыскрэтныя паўправадніковыя вырабы
  4. Дыёды - выпрамнікі - адзіночныя
  5. JANTX1N5417US

Microsemi Corporation - JANTX1N5417US

KEY Part #: K6429982

JANTX1N5417US Цэнаўтварэнне (USD) [4233шт шт]

  • 1 pcs$10.23430
  • 100 pcs$7.32633
Частка нумар:
JANTX1N5417US
Вытворца:
Microsemi Corporation
Падрабязнае апісанне:
DIODE GEN PURP 200V 3A D5B. Rectifiers Rectifier
Manufacturer's standard lead time:
У наяўнасці
Тэрмін прыдатнасці:
Адзін год
Фішка ад:
Ганконг
RoHS:
Спосаб аплаты:
Адгрузка спосабам:
Катэгорыі сям'і:
KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Транзістары - біпалярныя (BJT) - РФ, Тырыстары - TRIAC, Транзістары - JFET, Дыёды - выпрамнікі - адзіночныя, Транзістары - біпалярныя (BJT) - адзінкавыя, Транзістары - БНТ, MOSFET - Масівы, Транзістары - IGBT - масівы and Дыёды - выпрамнікі - масівы ...
Канкурэнтная перавага:
Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах Microsemi Corporation JANTX1N5417US. JANTX1N5417US можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

JANTX1N5417US Атрыбуты прадукту

Частка нумар : JANTX1N5417US
Вытворца : Microsemi Corporation
Апісанне : DIODE GEN PURP 200V 3A D5B
Серыя : Military, MIL-PRF-19500/411
Статус часткі : Active
Дыёдны тып : Standard
Напружанне - рэверс пастаяннага току (Vr) (макс.) : 200V
Ток - Сярэдняя выпраўленасць (Io) : 3A
Напруга - наперад (Vf) (макс.) @ Калі : 1.5V @ 9A
Хуткасць : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Рэверсны час аднаўлення (TRR) : 150ns
Ток - Зваротная ўцечка @ Vr : 1µA @ 200V
Ёмістасць @ Vr, F : -
Тып мантажу : Surface Mount
Пакет / футляр : SQ-MELF, B
Пакет прылад пастаўшчыка : D-5B
Працоўная тэмпература - развязка : -65°C ~ 175°C

Апошнія навіны

Microsemi Adaptec® HBA 1100 SAS/SATA Host Bus Adapters
Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў
  • SICRD5650TR

    SMC Diode Solutions

    DIODE SCHOTTKY SILICON CARBIDE S.

  • AS4PDHM3_A/I

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE AVALANCHE 200V 2.4A TO277A. Rectifiers 4A,200V, SMPC,STD, Avalanche SM

  • V15PL50-M3/87A

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 50V 6A TO277A. Schottky Diodes & Rectifiers 15A,50V,TRENCH SKY RECT.

  • V12P8HM3_A/H

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 80V 12A TO277A. Schottky Diodes & Rectifiers TMBS 80V Vrrm eSMP AEC-Q101 Qualified

  • AS4PD-M3/87A

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE AVALANCHE 200V 2.4A TO277A. Rectifiers 4A,200V,STD, Avalanche SM

  • SS10P3HM3_A/I

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 30V 10A TO277A. Schottky Diodes & Rectifiers 10A,30V,SM SKY RECT.

Гарачыя часткі