IXYS - IXGN82N120C3H1

KEY Part #: K6534659

IXGN82N120C3H1 Цэнаўтварэнне (USD) [2533шт шт]

  • 1 pcs$18.00306
  • 20 pcs$17.91349

Частка нумар:
IXGN82N120C3H1
Вытворца:
IXYS
Падрабязнае апісанне:
IGBT 1200V 58A GENX3 SOT-227B.
Manufacturer's standard lead time:
У наяўнасці
Тэрмін прыдатнасці:
Адзін год
Фішка ад:
Ганконг
RoHS:
Спосаб аплаты:
Адгрузка спосабам:
Катэгорыі сям'і:
KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Транзістары - спецыяльнага прызначэння, Транзістары - FET, MOSFET - адзінкавыя, Дыёды - Мастовыя выпрамнікі, Дыёды - пераменная ёмістасць (Varicaps, Varactors), Тырыстары - SCR, Транзістары - біпалярныя (BJT) - РФ, Транзістары - праграмуемыя супярэчнікі and Транзістары - БНТ, MOSFET - Масівы ...
Канкурэнтная перавага:
Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах IXYS IXGN82N120C3H1. IXGN82N120C3H1 можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXGN82N120C3H1 Атрыбуты прадукту

Частка нумар : IXGN82N120C3H1
Вытворца : IXYS
Апісанне : IGBT 1200V 58A GENX3 SOT-227B
Серыя : GenX3™
Статус часткі : Active
Тып IGBT : PT
Канфігурацыя : Single
Напружанне - Разбіўка выпраменьвальніка (макс.) : 1200V
Ток - калекцыянер (Ic) (макс.) : 130A
Магутнасць - Макс : 595W
Vce (на) (Max) @ Vge, Ic : 3.9V @ 15V, 82A
Ток - адключэнне калекцыі (макс.) : 50µA
Ёмістасць уводу (Cies) @ Vce : 7.9nF @ 25V
Увод : Standard
NTC-цеплавізатар : No
Працоўная тэмпература : -55°C ~ 150°C (TJ)
Тып мантажу : Chassis Mount
Пакет / футляр : SOT-227-4, miniBLOC
Пакет прылад пастаўшчыка : SOT-227B

Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў
  • VS-CPV364M4KPBF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 13A IMS-2.

  • VS-CPV362M4FPBF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT 600V 8.8A 23W IMS-2.

  • VS-CPV364M4UPBF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    MOD IGBT 3PHASE INV 600V SIP.

  • VS-CPV363M4UPBF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    MOD IGBT 3PHASE INV 600V SIP.

  • VS-CPV362M4KPBF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    MOD IGBT 3PHASE INV 600V SIP.

  • VS-CPV362M4UPBF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    MOD IGBT 3PHASE INV 600V SIP.