ON Semiconductor - FDD5810

KEY Part #: K6410170

[29шт шт]


    Частка нумар:
    FDD5810
    Вытворца:
    ON Semiconductor
    Падрабязнае апісанне:
    MOSFET N-CH 60V 37A DPAK.
    Manufacturer's standard lead time:
    У наяўнасці
    Тэрмін прыдатнасці:
    Адзін год
    Фішка ад:
    Ганконг
    RoHS:
    Спосаб аплаты:
    Адгрузка спосабам:
    Катэгорыі сям'і:
    KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Транзістары - IGBT - адзінкавыя, Транзістары - праграмуемыя супярэчнікі, Дыёды - пераменная ёмістасць (Varicaps, Varactors), Транзістары - спецыяльнага прызначэння, Транзістары - IGBT - масівы, Тырыстары - DIAC, SIDAC, Тырыстары - TRIAC and Дыёды - Зэнер - Масівы ...
    Канкурэнтная перавага:
    Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах ON Semiconductor FDD5810. FDD5810 можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    FDD5810 Атрыбуты прадукту

    Частка нумар : FDD5810
    Вытворца : ON Semiconductor
    Апісанне : MOSFET N-CH 60V 37A DPAK
    Серыя : -
    Статус часткі : Obsolete
    Тып FET : N-Channel
    Тэхналогіі : MOSFET (Metal Oxide)
    Зліў да крыніцы напругі (Vdss) : 60V
    Ток - бесперапынны зліў (Id) пры 25 ° C : 7.4A (Ta), 37A (Tc)
    Напруга прывада (уключаны макс. Rds, уключаецца мінімальная Rds) : 5V, 10V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 22 mOhm @ 32A, 10V
    Vgs (й) (Max) @ Id : 2V @ 250µA
    Зарад брамы (Qg) (макс.) @ Vgs : 34nC @ 10V
    Vgs (макс.) : ±20V
    Ёмістасць уводу (Ciss) (макс.) @ Vds : 1890pF @ 25V
    Функцыя FET : -
    Рассейванне магутнасці (макс.) : 72W (Tc)
    Працоўная тэмпература : -55°C ~ 175°C (TJ)
    Тып мантажу : Surface Mount
    Пакет прылад пастаўшчыка : D-PAK (TO-252)
    Пакет / футляр : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

    Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў
    • VN2222LL-G

      Microchip Technology

      MOSFET N-CH 60V 0.23A TO92-3.

    • ZVN4206AV

      Diodes Incorporated

      MOSFET N-CH 60V 600MA TO92-3.

    • IXTY1R4N60P

      IXYS

      MOSFET N-CH 600V 1.4A D-PAK.

    • FCD7N60TF

      ON Semiconductor

      MOSFET N-CH 600V 7A DPAK.

    • FDD5810

      ON Semiconductor

      MOSFET N-CH 60V 37A DPAK.

    • BSL211SPT

      Infineon Technologies

      MOSFET P-CH 20V 4.7A 6-TSOP.