Частка нумар :
FQI17N08LTU
Вытворца :
ON Semiconductor
Апісанне :
MOSFET N-CH 80V 16.5A I2PAK
Тэхналогіі :
MOSFET (Metal Oxide)
Зліў да крыніцы напругі (Vdss) :
80V
Ток - бесперапынны зліў (Id) пры 25 ° C :
16.5A (Tc)
Напруга прывада (уключаны макс. Rds, уключаецца мінімальная Rds) :
5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
100 mOhm @ 8.25A, 10V
Vgs (й) (Max) @ Id :
2V @ 250µA
Зарад брамы (Qg) (макс.) @ Vgs :
11.5nC @ 5V
Ёмістасць уводу (Ciss) (макс.) @ Vds :
520pF @ 25V
Рассейванне магутнасці (макс.) :
3.75W (Ta), 65W (Tc)
Працоўная тэмпература :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Тып мантажу :
Through Hole
Пакет прылад пастаўшчыка :
I2PAK (TO-262)
Пакет / футляр :
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA