GeneSiC Semiconductor - MBR20035CTR

KEY Part #: K6468494

Падрабязнае апісанне:: DIODE MODULE 35V 200A 2TOWER. Schottky Diodes & Rectifiers 35V 200A Schottky Recovery

Катэгорыі сям'і:: KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Дыёды - пераменная ёмістасць (Varicaps, Varactors), Транзістары - БНТ, МОФФЕТ - РФ, Тырыстары - TRIAC, Тырыстары - SCR - Модулі, Транзістары - біпалярныя (BJT) - масівы, Транзістары - IGBT - масівы, Транзістары - IGBT - адзінкавыя and Дыёды - Зэнер - Адзінокі ...

Канкурэнтная перавага:: Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах GeneSiC Semiconductor MBR20035CTR. MBR20035CTR можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com

Частка нумар : MBR20035CTR

Вытворца : GeneSiC Semiconductor

Апісанне : DIODE MODULE 35V 200A 2TOWER

Серыя : -

Статус часткі : Active

Канфігурацыя дыёда : 1 Pair Common Anode

Дыёдны тып : Schottky

Напружанне - рэверс пастаяннага току (Vr) (макс.) : 35V

Ток - Сярэдняя выпраўленасць (Io) (на дыёд) : 200A (DC)

Напруга - наперад (Vf) (макс.) @ Калі : 650mV @ 100A

Хуткасць : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Рэверсны час аднаўлення (TRR) : -

Ток - Зваротная ўцечка @ Vr : 5mA @ 20V

Працоўная тэмпература - развязка : -

Тып мантажу : Chassis Mount

Пакет / футляр : Twin Tower

Пакет прылад пастаўшчыка : Twin Tower

Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў

LQA10N150C

Power Integrations

DIODE CC 150V 5A DUAL TO252. Rectifiers 150V, Dual, 5A Ultra-Low Qrr Rect
BF1212WR,115

NXP USA Inc.

MOSFET N-CH DUAL GATE 6V SOT343R.
BF1217WR,115

NXP USA Inc.

MOSFET N-CH DUAL SOT343R.
MMBF5485

ON Semiconductor

JFET N-CH 25V 10MA SOT23.
MMBFJ211

ON Semiconductor

JFET N-CH 25V 20MA SOT23.
MMBF4416

ON Semiconductor

JFET N-CH 30V 15MA SOT23.

Гарачыя часткі