GeneSiC Semiconductor - MSRT100140(A)D

KEY Part #: K6468488

Падрабязнае апісанне:: DIODE GEN 1.4KV 100A 3 TOWER. Schottky Diodes & Rectifiers 1400V 100A Forward

Катэгорыі сям'і:: KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Транзістары - біпалярныя (BJT) - адзінкавыя, Дыёды - Зэнер - Адзінокі, Транзістары - біпалярныя (BJT) - аднамесныя, з пап, Тырыстары - DIAC, SIDAC, Транзістары - спецыяльнага прызначэння, Дыёды - пераменная ёмістасць (Varicaps, Varactors), Дыёды - Мастовыя выпрамнікі and Тырыстары - SCR - Модулі ...

Канкурэнтная перавага:: Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах GeneSiC Semiconductor MSRT100140(A)D. MSRT100140(A)D можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com

Частка нумар : MSRT100140(A)D

Вытворца : GeneSiC Semiconductor

Апісанне : DIODE GEN 1.4KV 100A 3 TOWER

Серыя : -

Статус часткі : Active

Канфігурацыя дыёда : 1 Pair Series Connection

Дыёдны тып : Standard

Напружанне - рэверс пастаяннага току (Vr) (макс.) : 1400V

Ток - Сярэдняя выпраўленасць (Io) (на дыёд) : 100A

Напруга - наперад (Vf) (макс.) @ Калі : 1.1V @ 100A

Хуткасць : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Рэверсны час аднаўлення (TRR) : -

Ток - Зваротная ўцечка @ Vr : 10µA @ 1400V

Працоўная тэмпература - развязка : -55°C ~ 150°C

Тып мантажу : Chassis Mount

Пакет / футляр : Three Tower

Пакет прылад пастаўшчыка : Three Tower

Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў

LQA10N150C

Power Integrations

DIODE CC 150V 5A DUAL TO252. Rectifiers 150V, Dual, 5A Ultra-Low Qrr Rect
BF1212WR,115

NXP USA Inc.

MOSFET N-CH DUAL GATE 6V SOT343R.
BF1217WR,115

NXP USA Inc.

MOSFET N-CH DUAL SOT343R.
MMBF5485

ON Semiconductor

JFET N-CH 25V 10MA SOT23.
MMBFJ211

ON Semiconductor

JFET N-CH 25V 20MA SOT23.
MMBF4416

ON Semiconductor

JFET N-CH 30V 15MA SOT23.

Гарачыя часткі