Вытворца :
ON Semiconductor
Апісанне :
IC GATE DVR MONO HI/LO 14DIP
Кіраваная канфігурацыя :
Half-Bridge
Тып варот :
IGBT, N-Channel MOSFET
Напружанне - падача :
10V ~ 20V
Логічнае напружанне - VIL, VIH :
4.5V, 9.5V
Ток - максімальная прадукцыйнасць (крыніца, ракавіна) :
3A, 3A
Тып уводу :
Non-Inverting
Высокае бакавое напружанне - макс. (Загрузачны) :
600V
Час ўздыму / падзення (тып) :
25ns, 20ns
Працоўная тэмпература :
-40°C ~ 150°C (TJ)
Тып мантажу :
Through Hole
Пакет / футляр :
14-DIP (0.300", 7.62mm)
Пакет прылад пастаўшчыка :
14-PDIP