GeneSiC Semiconductor - MUR20005CTR

KEY Part #: K6468521

MUR20005CTR Цэнаўтварэнне (USD) [1194шт шт]

  • 1 pcs$36.26045
  • 25 pcs$29.08672

Частка нумар:
MUR20005CTR
Вытворца:
GeneSiC Semiconductor
Падрабязнае апісанне:
DIODE MODULE 50V 200A 2TOWER. Rectifiers SI S-FST RECOV 2TWR 50-600V 200A 50P/35R
Manufacturer's standard lead time:
У наяўнасці
Тэрмін прыдатнасці:
Адзін год
Фішка ад:
Ганконг
RoHS:
Спосаб аплаты:
Адгрузка спосабам:
Катэгорыі сям'і:
KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Тырыстары - SCR, Дыёды - выпрамнікі - адзіночныя, Дыёды - пераменная ёмістасць (Varicaps, Varactors), Транзістары - IGBT - масівы, Дыёды - Мастовыя выпрамнікі, Транзістары - спецыяльнага прызначэння, Дыёды - Зэнер - Адзінокі and Транзістары - FET, MOSFET - адзінкавыя ...
Канкурэнтная перавага:
Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах GeneSiC Semiconductor MUR20005CTR. MUR20005CTR можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

MUR20005CTR Атрыбуты прадукту

Частка нумар : MUR20005CTR
Вытворца : GeneSiC Semiconductor
Апісанне : DIODE MODULE 50V 200A 2TOWER
Серыя : -
Статус часткі : Active
Канфігурацыя дыёда : 1 Pair Common Anode
Дыёдны тып : Schottky
Напружанне - рэверс пастаяннага току (Vr) (макс.) : 50V
Ток - Сярэдняя выпраўленасць (Io) (на дыёд) : 200A (DC)
Напруга - наперад (Vf) (макс.) @ Калі : 1.3V @ 100A
Хуткасць : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Рэверсны час аднаўлення (TRR) : 75ns
Ток - Зваротная ўцечка @ Vr : 25µA @ 50V
Працоўная тэмпература - развязка : -55°C ~ 150°C
Тып мантажу : Chassis Mount
Пакет / футляр : Twin Tower
Пакет прылад пастаўшчыка : Twin Tower
Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў
  • LQA10N150C

    Power Integrations

    DIODE CC 150V 5A DUAL TO252. Rectifiers 150V, Dual, 5A Ultra-Low Qrr Rect

  • 2SK209-GR(TE85L,F)

    Toshiba Semiconductor and Storage

    JFET N-CH SOT23.

  • BF999E6327HTSA1

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH RF 20V 30MA SOT-23.

  • MMBD1405A

    ON Semiconductor

    DIODE ARRAY GP 175V 200MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching High Voltage General Purpose

  • BAS4005E6433HTMA1

    Infineon Technologies

    DIODE ARRAY SCHOTTKY 40V SOT23.

  • BAS7006E6433HTMA1

    Infineon Technologies

    DIODE ARRAY SCHOTTKY 70V SOT23.