Infineon Technologies - PSDC312E8427618NOSA1

KEY Part #: K6532647

PSDC312E8427618NOSA1 Цэнаўтварэнне (USD) [21шт шт]

  • 1 pcs$1667.34348

Частка нумар:
PSDC312E8427618NOSA1
Вытворца:
Infineon Technologies
Падрабязнае апісанне:
MOD IGBT STACK PSAO-1.
Manufacturer's standard lead time:
У наяўнасці
Тэрмін прыдатнасці:
Адзін год
Фішка ад:
Ганконг
RoHS:
Спосаб аплаты:
Адгрузка спосабам:
Катэгорыі сям'і:
KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Модулі драйвераў харчавання, Дыёды - РФ, Транзістары - спецыяльнага прызначэння, Тырыстары - SCR - Модулі, Транзістары - IGBT - масівы, Транзістары - біпалярныя (BJT) - адзінкавыя, Тырыстары - DIAC, SIDAC and Дыёды - Мастовыя выпрамнікі ...
Канкурэнтная перавага:
Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах Infineon Technologies PSDC312E8427618NOSA1. PSDC312E8427618NOSA1 можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

PSDC312E8427618NOSA1 Атрыбуты прадукту

Частка нумар : PSDC312E8427618NOSA1
Вытворца : Infineon Technologies
Апісанне : MOD IGBT STACK PSAO-1
Серыя : *
Статус часткі : Active
Тып IGBT : -
Канфігурацыя : -
Напружанне - Разбіўка выпраменьвальніка (макс.) : -
Ток - калекцыянер (Ic) (макс.) : -
Магутнасць - Макс : -
Vce (на) (Max) @ Vge, Ic : -
Ток - адключэнне калекцыі (макс.) : -
Ёмістасць уводу (Cies) @ Vce : -
Увод : -
NTC-цеплавізатар : -
Працоўная тэмпература : -
Тып мантажу : -
Пакет / футляр : -
Пакет прылад пастаўшчыка : -

Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў
  • VS-ETF150Y65N

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT 650V 150A EMIPAK-2B.

  • CPV363M4K

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 6A IMS-2.

  • CPV362M4K

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 31 IMS-2.

  • CPV362M4U

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 3.9A IMS-2.

  • CPV363M4U

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 6.8A IMS-2.

  • A2C25S12M3-F

    STMicroelectronics

    IGBT TRENCH 1200V 25A ACEPACK2.