Частка нумар :
SQM120N04-1M7L_GE3
Вытворца :
Vishay Siliconix
Апісанне :
MOSFET N-CH 40V 120A TO263
Тэхналогіі :
MOSFET (Metal Oxide)
Зліў да крыніцы напругі (Vdss) :
40V
Ток - бесперапынны зліў (Id) пры 25 ° C :
120A (Tc)
Напруга прывада (уключаны макс. Rds, уключаецца мінімальная Rds) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
1.7 mOhm @ 30A, 10V
Vgs (й) (Max) @ Id :
2.5V @ 250µA
Зарад брамы (Qg) (макс.) @ Vgs :
285nC @ 10V
Ёмістасць уводу (Ciss) (макс.) @ Vds :
14606pF @ 20V
Рассейванне магутнасці (макс.) :
375W (Tc)
Працоўная тэмпература :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Тып мантажу :
Surface Mount
Пакет прылад пастаўшчыка :
TO-263
Пакет / футляр :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB