Vishay Semiconductor Diodes Division - MURS320HE3_A/I

KEY Part #: K6456974

MURS320HE3_A/I Цэнаўтварэнне (USD) [286357шт шт]

  • 1 pcs$0.12917
  • 3,500 pcs$0.11706

Частка нумар:
MURS320HE3_A/I
Вытворца:
Vishay Semiconductor Diodes Division
Падрабязнае апісанне:
DIODE GEN PURP 200V 4A DO214AB. Rectifiers 200 Volt 3.0A 25ns 125 Amp IFSM
Manufacturer's standard lead time:
У наяўнасці
Тэрмін прыдатнасці:
Адзін год
Фішка ад:
Ганконг
RoHS:
Спосаб аплаты:
Адгрузка спосабам:
Катэгорыі сям'і:
KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Транзістары - біпалярныя (BJT) - аднамесныя, з пап, Транзістары - JFET, Дыёды - Зэнер - Масівы, Транзістары - біпалярныя (BJT) - масівы, загадзя п, Транзістары - біпалярныя (BJT) - адзінкавыя, Тырыстары - TRIAC, Тырыстары - SCR and Транзістары - біпалярныя (BJT) - РФ ...
Канкурэнтная перавага:
Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах Vishay Semiconductor Diodes Division MURS320HE3_A/I. MURS320HE3_A/I можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

MURS320HE3_A/I Атрыбуты прадукту

Частка нумар : MURS320HE3_A/I
Вытворца : Vishay Semiconductor Diodes Division
Апісанне : DIODE GEN PURP 200V 4A DO214AB
Серыя : Automotive, AEC-Q101
Статус часткі : Active
Дыёдны тып : Standard
Напружанне - рэверс пастаяннага току (Vr) (макс.) : 200V
Ток - Сярэдняя выпраўленасць (Io) : 4A
Напруга - наперад (Vf) (макс.) @ Калі : 890mV @ 4A
Хуткасць : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Рэверсны час аднаўлення (TRR) : 35ns
Ток - Зваротная ўцечка @ Vr : 5µA @ 200V
Ёмістасць @ Vr, F : -
Тып мантажу : Surface Mount
Пакет / футляр : DO-214AB, SMC
Пакет прылад пастаўшчыка : DO-214AB (SMC)
Працоўная тэмпература - развязка : -65°C ~ 175°C

Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў
  • DSS2-60AT2

    IXYS

    DIODE SCHOTTKY 60V 2A TO92-3.

  • FFD08S60S-F085

    ON Semiconductor

    DIODE GEN PURP 600V 8A DPAK. Rectifiers 8A, 600V Stealth II Rectifier

  • BAS16

    ON Semiconductor

    DIODE GEN PURP 85V 200MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching SOT23 215mA 75V 4ns

  • VS-8EVH06HM3/I

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURPOSE 600V SLIMDPAK. Rectifiers 600V 8A SlimDPAK FRED

  • VS-6EVL06HM3/I

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURPOSE 600V SLIMDPAK.

  • VS-8EVL06-M3/I

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURPOSE 600V SLIMDPAK.