ON Semiconductor - NVMFS5885NLT1G

KEY Part #: K6401613

NVMFS5885NLT1G Цэнаўтварэнне (USD) [2990шт шт]

  • 1,500 pcs$0.17353

Частка нумар:
NVMFS5885NLT1G
Вытворца:
ON Semiconductor
Падрабязнае апісанне:
MOSFET N-CH 60V 39A SO8FL.
Manufacturer's standard lead time:
У наяўнасці
Тэрмін прыдатнасці:
Адзін год
Фішка ад:
Ганконг
RoHS:
Спосаб аплаты:
Адгрузка спосабам:
Катэгорыі сям'і:
KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Дыёды - выпрамнікі - адзіночныя, Тырыстары - TRIAC, Транзістары - біпалярныя (BJT) - адзінкавыя, Модулі драйвераў харчавання, Тырыстары - SCR, Тырыстары - DIAC, SIDAC, Тырыстары - SCR - Модулі and Транзістары - IGBT - адзінкавыя ...
Канкурэнтная перавага:
Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах ON Semiconductor NVMFS5885NLT1G. NVMFS5885NLT1G можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

NVMFS5885NLT1G Атрыбуты прадукту

Частка нумар : NVMFS5885NLT1G
Вытворца : ON Semiconductor
Апісанне : MOSFET N-CH 60V 39A SO8FL
Серыя : -
Статус часткі : Active
Тып FET : N-Channel
Тэхналогіі : MOSFET (Metal Oxide)
Зліў да крыніцы напругі (Vdss) : 60V
Ток - бесперапынны зліў (Id) пры 25 ° C : 10.2A (Ta)
Напруга прывада (уключаны макс. Rds, уключаецца мінімальная Rds) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 15 mOhm @ 15A, 10V
Vgs (й) (Max) @ Id : 2.5V @ 250µA
Зарад брамы (Qg) (макс.) @ Vgs : 21nC @ 10V
Vgs (макс.) : ±20V
Ёмістасць уводу (Ciss) (макс.) @ Vds : 1340pF @ 25V
Функцыя FET : -
Рассейванне магутнасці (макс.) : 3.7W (Ta), 54W (Tc)
Працоўная тэмпература : -55°C ~ 175°C (TJ)
Тып мантажу : Surface Mount
Пакет прылад пастаўшчыка : 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Пакет / футляр : 8-PowerTDFN

Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў