ON Semiconductor - FQB33N10LTM

KEY Part #: K6392675

FQB33N10LTM Цэнаўтварэнне (USD) [114369шт шт]

  • 1 pcs$0.32340
  • 800 pcs$0.30346

Частка нумар:
FQB33N10LTM
Вытворца:
ON Semiconductor
Падрабязнае апісанне:
MOSFET N-CH 100V 33A D2PAK.
Manufacturer's standard lead time:
У наяўнасці
Тэрмін прыдатнасці:
Адзін год
Фішка ад:
Ганконг
RoHS:
Спосаб аплаты:
Адгрузка спосабам:
Катэгорыі сям'і:
KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Дыёды - Зэнер - Адзінокі, Транзістары - IGBT - Модулі, Дыёды - РФ, Тырыстары - SCR - Модулі, Транзістары - біпалярныя (BJT) - адзінкавыя, Транзістары - спецыяльнага прызначэння, Транзістары - JFET and Тырыстары - TRIAC ...
Канкурэнтная перавага:
Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах ON Semiconductor FQB33N10LTM. FQB33N10LTM можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FQB33N10LTM Атрыбуты прадукту

Частка нумар : FQB33N10LTM
Вытворца : ON Semiconductor
Апісанне : MOSFET N-CH 100V 33A D2PAK
Серыя : QFET®
Статус часткі : Active
Тып FET : N-Channel
Тэхналогіі : MOSFET (Metal Oxide)
Зліў да крыніцы напругі (Vdss) : 100V
Ток - бесперапынны зліў (Id) пры 25 ° C : 33A (Tc)
Напруга прывада (уключаны макс. Rds, уключаецца мінімальная Rds) : 5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 52 mOhm @ 16.5A, 10V
Vgs (й) (Max) @ Id : 2V @ 250µA
Зарад брамы (Qg) (макс.) @ Vgs : 40nC @ 5V
Vgs (макс.) : ±20V
Ёмістасць уводу (Ciss) (макс.) @ Vds : 1630pF @ 25V
Функцыя FET : -
Рассейванне магутнасці (макс.) : 3.75W (Ta), 127W (Tc)
Працоўная тэмпература : -55°C ~ 175°C (TJ)
Тып мантажу : Surface Mount
Пакет прылад пастаўшчыка : D²PAK (TO-263AB)
Пакет / футляр : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў