Infineon Technologies - IPW60R160P6FKSA1

KEY Part #: K6398143

IPW60R160P6FKSA1 Цэнаўтварэнне (USD) [22373шт шт]

  • 1 pcs$1.68788
  • 10 pcs$1.50852
  • 100 pcs$1.23687
  • 500 pcs$0.95019
  • 1,000 pcs$0.80136

Частка нумар:
IPW60R160P6FKSA1
Вытворца:
Infineon Technologies
Падрабязнае апісанне:
MOSFET N-CH 600V TO247-3.
Manufacturer's standard lead time:
У наяўнасці
Тэрмін прыдатнасці:
Адзін год
Фішка ад:
Ганконг
RoHS:
Спосаб аплаты:
Адгрузка спосабам:
Катэгорыі сям'і:
KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Тырыстары - SCR, Транзістары - біпалярныя (BJT) - аднамесныя, з пап, Транзістары - праграмуемыя супярэчнікі, Транзістары - спецыяльнага прызначэння, Транзістары - БНТ, МОФФЕТ - РФ, Дыёды - выпрамнікі - адзіночныя, Дыёды - выпрамнікі - масівы and Тырыстары - DIAC, SIDAC ...
Канкурэнтная перавага:
Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах Infineon Technologies IPW60R160P6FKSA1. IPW60R160P6FKSA1 можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IPW60R160P6FKSA1 Атрыбуты прадукту

Частка нумар : IPW60R160P6FKSA1
Вытворца : Infineon Technologies
Апісанне : MOSFET N-CH 600V TO247-3
Серыя : CoolMOS™ P6
Статус часткі : Active
Тып FET : N-Channel
Тэхналогіі : MOSFET (Metal Oxide)
Зліў да крыніцы напругі (Vdss) : 600V
Ток - бесперапынны зліў (Id) пры 25 ° C : 23.8A (Tc)
Напруга прывада (уключаны макс. Rds, уключаецца мінімальная Rds) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 160 mOhm @ 9A, 10V
Vgs (й) (Max) @ Id : 4.5V @ 750µA
Зарад брамы (Qg) (макс.) @ Vgs : 44nC @ 10V
Vgs (макс.) : ±20V
Ёмістасць уводу (Ciss) (макс.) @ Vds : 2080pF @ 100V
Функцыя FET : -
Рассейванне магутнасці (макс.) : 176W (Tc)
Працоўная тэмпература : -55°C ~ 150°C (TJ)
Тып мантажу : Through Hole
Пакет прылад пастаўшчыка : PG-TO247-3
Пакет / футляр : TO-247-3

Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў
  • VN4012L-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 400V 0.16A TO92-3.

  • TP0604N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET P-CH 40V 430MA TO92-3.

  • VN3205N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 50V 1.2A TO92-3.

  • TK28A65W,S5X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 650V 27.6A TO-220SIS.

  • RCX300N20

    Rohm Semiconductor

    MOSFET N-CH 200V 30A TO220.

  • TK11A65W,S5X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 650V 11.1A TO-220.