MMBD354LT1G Цэнаўтварэнне (USD) [1438790шт шт]
- 1 pcs$0.02571
- 3,000 pcs$0.02444
- 6,000 pcs$0.02200
- 15,000 pcs$0.01955
- 30,000 pcs$0.01833
- 75,000 pcs$0.01626
- 150,000 pcs$0.01564
- Частка нумар:
- MMBD354LT1G
- Вытворца:
- ON Semiconductor
- Падрабязнае апісанне:
- DIODE SCHOTTKY 7V 225MW SOT23-3.
- Manufacturer's standard lead time:
- У наяўнасці
- Тэрмін прыдатнасці:
- Адзін год
- Фішка ад:
- Ганконг
- RoHS:
- Спосаб аплаты:
-
- Адгрузка спосабам:
- Катэгорыі сям'і:
- KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Дыёды - пераменная ёмістасць (Varicaps, Varactors), Транзістары - IGBT - масівы, Транзістары - спецыяльнага прызначэння, Транзістары - біпалярныя (BJT) - аднамесныя, з пап, Тырыстары - TRIAC, Транзістары - біпалярныя (BJT) - адзінкавыя, Дыёды - выпрамнікі - масівы and Транзістары - БНТ, MOSFET - Масівы ...
- Канкурэнтная перавага:
- Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах ON Semiconductor MMBD354LT1G. MMBD354LT1G можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
MMBD354LT1G Атрыбуты прадукту
Частка нумар :
MMBD354LT1G
Вытворца :
ON Semiconductor
Апісанне :
DIODE SCHOTTKY 7V 225MW SOT23-3
Серыя :
-
Статус часткі :
Active
Дыёдны тып :
Schottky - 1 Pair Common Cathode
Напруга - максімальная рэверсія (макс.) :
7V
Ток - Макс :
-
Ёмістасць @ Vr, F :
1pF @ 0V, 1MHz
Супраціў @ Калі, F :
-
Рассейванне магутнасці (макс.) :
225mW
Працоўная тэмпература :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Пакет / футляр :
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Пакет прылад пастаўшчыка :
SOT-23-3 (TO-236)
Апошнія навіны
Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў
-
-
-
MA4E2054B1-287T
M/A-Com Technology Solutions
RF DIODE SCHOTTKY 3V SOT23-3. Schottky Diodes & Rectifiers Brkdn V 3.0Volt min. 30pF max.-65 to 125C
-
-
MA4E2200B1-287T
M/A-Com Technology Solutions
RF DIODE SCHOTTKY 1.5V SOT23-3. Schottky Diodes & Rectifiers Brkdn V 1.5Volt min. .25pF max-65 to 125C
-
BAT68E6327HTSA1
Infineon Technologies
DIODE SCHOTTKY 8V 150MW SOT23-3. Schottky Diodes & Rectifiers Silicon Schottky Diodes 8V 130mA
Гарачыя часткі
- BA283-TR
- HSMS-281K-TR2G
- HSMP-3814-TR1G
- UM9604
- QSMS-8202-BLKG
- QSMS-294C-BLKG
- BA783S-G3-08
- HSMS-2850-TR1G
- HSMS-2805-TR1G
- BAR81WE6327BTSA1
- BAT6806WE6327HTSA1
- BAR8902LRHE6327XTSA1
- BA 892-02V E6127
- HSMS-286F-TR1G
- HSMS-286E-TR1G
- HSMS-2823-TR1G
- HSMP-389V-TR1G
- HSMS-8207-TR2G
- HSMS-2700-TR2G
- HSMP-381B-TR2G
- HSMS-285B-TR2G
- HSMP-3830-TR2G
- HSMS-2815-TR2G
- 5082-2800#T25
- 5082-3039#T25
- HSMP-389R-BLKG
- HSMS-2827-BLKG
- HSMS-281B-BLKG
- HSMS-2863-BLKG
- HSMS-2862-BLKG
- HSMS-286F-BLKG
- HSMS-2812-BLKG
- HSMP-482B-BLKG
- HSMS-270C-BLKG
- 5082-0012
- UPP9401E3/TR7
- HSMS-2852-TR1
- HSMS-2812-TR1
- BAP63-03,115
- 1SS381,L3F