IXYS - IXFH50N50P3

KEY Part #: K6394900

IXFH50N50P3 Цэнаўтварэнне (USD) [13823шт шт]

  • 1 pcs$3.29594
  • 30 pcs$3.27954

Частка нумар:
IXFH50N50P3
Вытворца:
IXYS
Падрабязнае апісанне:
MOSFET N-CH 500V 50A TO-247.
Manufacturer's standard lead time:
У наяўнасці
Тэрмін прыдатнасці:
Адзін год
Фішка ад:
Ганконг
RoHS:
Спосаб аплаты:
Адгрузка спосабам:
Катэгорыі сям'і:
KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Тырыстары - SCR, Транзістары - БНТ, МОФФЕТ - РФ, Тырыстары - DIAC, SIDAC, Дыёды - Мастовыя выпрамнікі, Транзістары - біпалярныя (BJT) - масівы, Транзістары - праграмуемыя супярэчнікі, Дыёды - Зэнер - Адзінокі and Дыёды - Зэнер - Масівы ...
Канкурэнтная перавага:
Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах IXYS IXFH50N50P3. IXFH50N50P3 можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXFH50N50P3 Атрыбуты прадукту

Частка нумар : IXFH50N50P3
Вытворца : IXYS
Апісанне : MOSFET N-CH 500V 50A TO-247
Серыя : HiPerFET™, Polar3™
Статус часткі : Active
Тып FET : N-Channel
Тэхналогіі : MOSFET (Metal Oxide)
Зліў да крыніцы напругі (Vdss) : 500V
Ток - бесперапынны зліў (Id) пры 25 ° C : 50A (Tc)
Напруга прывада (уключаны макс. Rds, уключаецца мінімальная Rds) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 120 mOhm @ 25A, 10V
Vgs (й) (Max) @ Id : 5V @ 4mA
Зарад брамы (Qg) (макс.) @ Vgs : 85nC @ 10V
Vgs (макс.) : ±30V
Ёмістасць уводу (Ciss) (макс.) @ Vds : 4335pF @ 25V
Функцыя FET : -
Рассейванне магутнасці (макс.) : 960W (Tc)
Працоўная тэмпература : -55°C ~ 150°C (TJ)
Тып мантажу : Through Hole
Пакет прылад пастаўшчыка : TO-247AD (IXFH)
Пакет / футляр : TO-247-3