Renesas Electronics America - 2SK1340-E

KEY Part #: K6404122

[2121шт шт]


    Частка нумар:
    2SK1340-E
    Вытворца:
    Renesas Electronics America
    Падрабязнае апісанне:
    MOSFET N-CH 900V 5A TO-3P.
    Manufacturer's standard lead time:
    У наяўнасці
    Тэрмін прыдатнасці:
    Адзін год
    Фішка ад:
    Ганконг
    RoHS:
    Спосаб аплаты:
    Адгрузка спосабам:
    Катэгорыі сям'і:
    KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Транзістары - JFET, Дыёды - Мастовыя выпрамнікі, Дыёды - Зэнер - Адзінокі, Транзістары - IGBT - масівы, Дыёды - Зэнер - Масівы, Транзістары - IGBT - Модулі, Транзістары - біпалярныя (BJT) - адзінкавыя and Транзістары - біпалярныя (BJT) - РФ ...
    Канкурэнтная перавага:
    Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах Renesas Electronics America 2SK1340-E. 2SK1340-E можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    2SK1340-E Атрыбуты прадукту

    Частка нумар : 2SK1340-E
    Вытворца : Renesas Electronics America
    Апісанне : MOSFET N-CH 900V 5A TO-3P
    Серыя : -
    Статус часткі : Active
    Тып FET : N-Channel
    Тэхналогіі : MOSFET (Metal Oxide)
    Зліў да крыніцы напругі (Vdss) : 900V
    Ток - бесперапынны зліў (Id) пры 25 ° C : 5A (Ta)
    Напруга прывада (уключаны макс. Rds, уключаецца мінімальная Rds) : 10V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 4 Ohm @ 3A, 10V
    Vgs (й) (Max) @ Id : -
    Зарад брамы (Qg) (макс.) @ Vgs : -
    Vgs (макс.) : ±30V
    Ёмістасць уводу (Ciss) (макс.) @ Vds : 740pF @ 10V
    Функцыя FET : -
    Рассейванне магутнасці (макс.) : 100W (Tc)
    Працоўная тэмпература : 150°C (TJ)
    Тып мантажу : Through Hole
    Пакет прылад пастаўшчыка : TO-3P
    Пакет / футляр : TO-3P-3, SC-65-3

    Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў
    • ZVP0120ASTZ

      Diodes Incorporated

      MOSFET P-CH 200V 0.11A TO92-3.

    • FQD11P06TF

      ON Semiconductor

      MOSFET P-CH 60V 9.4A DPAK.

    • FDD6696

      ON Semiconductor

      MOSFET N-CH 30V 13A D-PAK.

    • IRLR3715PBF

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 20V 54A DPAK.

    • NP90N055VUK-E1-AY

      Renesas Electronics America

      MOSFET N-CH 55V 90A TO-220.

    • NP90N04VUK-E1-AY

      Renesas Electronics America

      MOSFET N-CH 40V 90A TO-220.