SFS1001GHMNG Цэнаўтварэнне (USD) [264034шт шт]
- 1 pcs$0.14009
- Частка нумар:
- SFS1001GHMNG
- Вытворца:
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Падрабязнае апісанне:
- DIODE GEN PURP 50V 10A TO263AB.
- Manufacturer's standard lead time:
- У наяўнасці
- Тэрмін прыдатнасці:
- Адзін год
- Фішка ад:
- Ганконг
- RoHS:
- Спосаб аплаты:
-
- Адгрузка спосабам:
- Катэгорыі сям'і:
- KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Дыёды - Зэнер - Масівы, Транзістары - JFET, Тырыстары - TRIAC, Транзістары - біпалярныя (BJT) - аднамесныя, з пап, Дыёды - РФ, Дыёды - выпрамнікі - масівы, Транзістары - БНТ, MOSFET - Масівы and Дыёды - Мастовыя выпрамнікі ...
- Канкурэнтная перавага:
- Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах Taiwan Semiconductor Corporation SFS1001GHMNG. SFS1001GHMNG можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
SFS1001GHMNG Атрыбуты прадукту
Частка нумар :
SFS1001GHMNG
Вытворца :
Taiwan Semiconductor Corporation
Апісанне :
DIODE GEN PURP 50V 10A TO263AB
Серыя :
Automotive, AEC-Q101
Статус часткі :
Active
Дыёдны тып :
Standard
Напружанне - рэверс пастаяннага току (Vr) (макс.) :
50V
Ток - Сярэдняя выпраўленасць (Io) :
10A
Напруга - наперад (Vf) (макс.) @ Калі :
975mV @ 5A
Хуткасць :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Рэверсны час аднаўлення (TRR) :
35ns
Ток - Зваротная ўцечка @ Vr :
1µA @ 50V
Ёмістасць @ Vr, F :
70pF @ 4V, 1MHz
Тып мантажу :
Surface Mount
Пакет / футляр :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Пакет прылад пастаўшчыка :
TO-263AB (D²PAK)
Працоўная тэмпература - развязка :
-55°C ~ 150°C
Апошнія навіны
Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў
-
CDSV-20-G
Comchip Technology
DIODE GEN PURP 150V 200MA SOD323. Diodes - General Purpose, Power, Switching 150V 200mA 200mW
-
CDBV140-G
Comchip Technology
DIODE SCHOTTKY 40V 1A SOD323. Schottky Diodes & Rectifiers VR=40V IO=1A
-
VSB2045Y-M3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE SCHOTTKY 45V 6.5A P600. Schottky Diodes & Rectifiers 20A 45V .3V@5A TrenchMOS
-
SE30PAJ-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 600V 1.4A DO221AC. Rectifiers 3A, 600V, ESD PROTECTION, SMPA
-
VS-2EJH01-M3/6B
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 100V 2A DO221AC. Rectifiers Hyperfst 2A 100V Fred Pt Rectfr
-
VS-2EJH01-M3/6A
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 100V 2A DO221AC. Rectifiers Hyperfst 2A 100V Fred Pt Rectfr
Гарачыя часткі
- SBYV26C-5001M3/73
- EGP10DHM3/73
- CD0805-B140
- RC 2V1
- 1N648-1
- S42100F
- DSA26G
- CDBMT280-HF
- STPS20SM100SG-TR
- IDT04S60CHKSA1
- R5110410XXWA
- QRS1220T30
- R36100
- GUR460-E3/54
- 1N4948GP/54
- 1N4005GPHE3/54
- FGP50CHE3/73
- FGP10BHE3/73
- IDD09SG60CXTMA1
- S3580
- PR1001L-T
- VS-12TQ035STRRPBF
- BYT03-400RL
- 1N3070
- 1N4005GP
- DL4004-TP
- RS1G/1
- RS2GA-13
- 8EWF12STR
- VSKE320-20
- S25120
- IRD3909
- DL4935-13
- SR102-T
- SF12-AP
- FES16CT-E3/45
- ESH1PDHM3/84A
- RB060MM-40TR
- GL41GHE3/97
- RF081M2STR