Infineon Technologies - IRF6641TRPBF

KEY Part #: K6418355

IRF6641TRPBF Цэнаўтварэнне (USD) [60382шт шт]

  • 1 pcs$0.74545
  • 4,800 pcs$0.74174

Частка нумар:
IRF6641TRPBF
Вытворца:
Infineon Technologies
Падрабязнае апісанне:
MOSFET N-CH 200V 4.6A DIRECTFET.
Manufacturer's standard lead time:
У наяўнасці
Тэрмін прыдатнасці:
Адзін год
Фішка ад:
Ганконг
RoHS:
Спосаб аплаты:
Адгрузка спосабам:
Катэгорыі сям'і:
KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Тырыстары - DIAC, SIDAC, Транзістары - біпалярныя (BJT) - аднамесныя, з пап, Транзістары - праграмуемыя супярэчнікі, Дыёды - Мастовыя выпрамнікі, Дыёды - РФ, Тырыстары - TRIAC, Транзістары - IGBT - адзінкавыя and Дыёды - Зэнер - Адзінокі ...
Канкурэнтная перавага:
Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах Infineon Technologies IRF6641TRPBF. IRF6641TRPBF можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IRF6641TRPBF Атрыбуты прадукту

Частка нумар : IRF6641TRPBF
Вытворца : Infineon Technologies
Апісанне : MOSFET N-CH 200V 4.6A DIRECTFET
Серыя : HEXFET®
Статус часткі : Active
Тып FET : N-Channel
Тэхналогіі : MOSFET (Metal Oxide)
Зліў да крыніцы напругі (Vdss) : 200V
Ток - бесперапынны зліў (Id) пры 25 ° C : 4.6A (Ta), 26A (Tc)
Напруга прывада (уключаны макс. Rds, уключаецца мінімальная Rds) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 59.9 mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs (й) (Max) @ Id : 4.9V @ 150µA
Зарад брамы (Qg) (макс.) @ Vgs : 48nC @ 10V
Vgs (макс.) : ±20V
Ёмістасць уводу (Ciss) (макс.) @ Vds : 2290pF @ 25V
Функцыя FET : -
Рассейванне магутнасці (макс.) : 2.8W (Ta), 89W (Tc)
Працоўная тэмпература : -40°C ~ 150°C (TJ)
Тып мантажу : Surface Mount
Пакет прылад пастаўшчыка : DIRECTFET™ MZ
Пакет / футляр : DirectFET™ Isometric MZ

Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў
  • TK5A65W,S5X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 650V 5.2A TO-220SIS.

  • SPA07N60CFDXKSA1

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 650V 6.6A TO220-FP.

  • TK7A60W,S4VX

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N CH 600V 7A TO-220SIS.

  • IPA65R310CFDXKSA1

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 650V 11.4A TO220.

  • IPA80R460CEXKSA2

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 800V TO-220-3.

  • TK40E10K3,S1X(S

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 100V 40A TO-220AB.